图3-28给出了GTO的驱动电路[14]。图3-28 含有GTO驱动电路的实物表3-2比较了普通GTO与HD-GTO的性能参数[18]。由图3-29c可见，采用“硬驱动”电路关断时，所有阳极电流均从门极流出，故其关断增益βoff为1。所以，“硬驱动”技术的典型特征就是可实现单位关断增益。...
2023-06-24 理论教育
电力半导体新器件及其制造技术
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VDMOS结构等效电路及电路图形符号解析详细阅读
VDMOS结构的等效电路及电路图形符号如图4-5所示。其中npn晶体管的发射区、基区及集电区分别为n+源区、p体区及漏区。图4-5 VDMOS的寄生参数、等效电路及电路图形符号此外，因VDMOS采用多个元胞并联，由栅极下方的n-漂移区和两侧的p体区自然形成了一个JFET结构，因为在任何工作条件下JFET都不会工作，它只是作为一种寄生电阻效应而存在，故在图4-5a、b中没有标出。...
2023-06-24 理论教育
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功耗及结温对电子器件的影响详细阅读
动态损耗包括开通损耗和关断损耗，受负载电流、直流母线电压、结温及开关频率等因素影响。最高结温Tjm是指器件正常工作时的pn结最高温度，一般低于本征失效温度，对于硅器件，Tjm通常在200℃以下[18]。对于高可靠性民用设备，硅器件Tjm取135～150℃；对于普通民用设备，Tjm取125℃。...
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