LED荧光灯电源是LED荧光灯中最重要的部件,选择不当,LED荧光灯不能发挥出性能,甚至不能正常使用,常出现的问题有以下几种:恒流问题LED半导体的特性决定其受环境影响较大。长期超过额定电流工作,会大大缩短LED的使用寿命。LED灯板的串/并联与宽电压要使LED荧光灯工作在输入电压范围比较宽的AC 85~265V,则灯板的LED串/并联方式很重要。尺寸高度是限制LED荧光灯的主要因素,一般用于T5/T8管的不能太高。......
2023-06-15
LED外延片是指当在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石、SiC、Si等)上,气态物质In、Ga、A1、P有控制地输送到衬衣表面,所生长出的特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用金属有机物化学气相沉积的方法。
外延片处于LED产业链中的上游环节,是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。近年来,下游应用市场的繁荣带动我国LED产业迅猛发展,外延片市场也迎来发展良机。国内LED外延片产能快速提升,技术水平不断进步,产品已开始进入中高档次。不同的衬底材料,需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术。衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
LED外延片衬底材料的选择原则如下:
1)结构特性好。外延材料与衬底的晶体结构相同或相近,晶格常数失配度小,结晶性能好,缺陷密度小。
2)界面特性好。有利于外延材料成核且黏附性强。
3)化学稳定性好。在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。
4)热学性能好。导热性好,热失配度小。
5)导电性好。能制成上下结构。
6)光学性能好。器件所发出的光被衬底吸收小。
7)力学性能好。器件容易加工,包括减薄、抛光和切割等。
8)性价比高。
9)大尺寸。一般要求直径不小于2in[1]①。
10)容易得到规则形状衬底(除非有其他特殊要求),与外延设备托盘孔相似的衬底形状才不容易形成不规则涡流。
11)在不影响外延质量的前提下,衬底的可加工性尽量满足后续芯片和封装加工工艺要求。
衬底的选择要同时满足以上11个方面是非常困难的。所以,目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。
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2023-06-15
可是,制备氮化镓体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。氮化镓厚膜的优点非常明显,即以它为衬底外延的氮化镓薄膜的位元错密度,比在A1203、SiC上外延的氮化镓薄膜的位元错密度低。SiC衬底除了A1203衬底外,目前用于氮化镓生长衬底的是SiC。ZnO衬底ZnO可作为GaN外延片的候选衬底,因为两者具有惊人的相似之处。ZnO作为GaN外延衬底的致命弱点是在GaN外延生长的温度和气氛中容易分解和被腐蚀。......
2023-06-15
冲任二脉与足厥阴肝经相通,而隶属于肝,所以肝主疏泄,调节气机,又可调理冲任二脉的生理活动。此外,肝藏血可以调节血量,对女子月经和胎产也起重要作用,女性以血为本,其行血耗血,妊娠血聚养胎,分娩下血,无不涉及血。男性肝经不畅多表现为肝阳上亢,易怒,秃顶等。肝脏出现问题与不良的生活习惯有关。如凌晨1~3 点丑时,肝经当令,应该熟睡养肝血。......
2024-01-23
LED用外延生长的方法沉积于某些微米厚的GaN层上,这些GaN层是在Al2O3或SiC衬底上异质外延生长形成的。对于ELO,这种位错减小了100倍,位错密度从5×108/cm2降至ELO 2S GaN的5×106/cm2。目前的研究可能使大块GaN和AlN在不久的将来出现,与用水热法获得SiO2和ZnO的方法相同。目前,3家公司能够生产并商业化他们的产品。一块2in、400μm厚的GaN衬底成本约为1500欧元。大规模工业生产将降低成本,并实现照明用氮化物LED性能的大幅提高。......
2023-06-15
饮食多样化,可保证营养均衡,还可以“稀释”可能遇到的食品安全风险。选购大厂家、大超市食品安全比较有保障,即使出了问题也方便追究责任。看包装是否标明厂名、生产日期、地址、保质期,看包装上是否有明显的QS食品安全准入标志,还要看包装封口小标签上的出厂日期。......
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2023-06-15
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2023-06-15
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