普通的填丝TIG焊，焊接过程稳定，质量好，但效率低。为此，通常采用交流电源加热填充焊丝或采用脉冲调制，并限制加热电流不超过焊接电流的60%，使TIG焊电弧和热丝电流峰值相互交替，以减少磁偏吹。热丝TIG焊焊接效率整整提高了一倍。此外热丝TIG焊还可以减少焊缝中的裂纹。热丝TIG焊由于效率高，通常可使焊接速度增加3～5倍，因此可应用于快速焊的生产线上。......
2023-06-26
GaN氨热合成优化技术
【摘要】：与元素氮溶解于镓的HNPS相比，水热法将镓或GaN溶解于超临界NH3溶液中。GaN不直接溶于NH3，必须用矿化剂氨基钠[HAS 05]或NH4 Cl[KAG 06]离解NH3，形成可溶的氨化镓Gan。为了实现溶解、氨的运送以及晶种上的GaN结晶，温度梯度的方向应沿着高压釜。Ga面摇摆曲线的FWHM为2000弧秒，N面的为1700弧秒。氨热合成技术仍处于发展阶段，预计近期内将得到进一步的改进。图2-32 GaN在HVPE衬底两侧的氨热沉积a）Ga面 b）N面
这种合成方法仿效了已经成功应用于合成石英和ZnO的晶体生长水热法[OSH 04]。与元素氮溶解于镓的HNPS相比，水热法将镓或GaN溶解于超临界NH3溶液中。GaN不直接溶于NH3，必须用矿化剂氨基钠（NaNH2）[HAS 05]或NH4 Cl[KAG 06]离解NH3，形成可溶的氨化镓Ga（NH2）n。生长在充满高压液态氨的高压釜完成，压力一般为1～3kbar、温度为500～650℃。一端包含溶解的化合物（镓或多晶GaN），另一端为单晶GaN晶种。为了实现溶解、氨的运送以及晶种上的GaN结晶，温度梯度的方向应沿着高压釜。
最近，利用氨热合成法在GaN HVPE衬底的前面和背面获得了1in的GaN单晶（见图2-32）[HAS 05]。
根据AFM的测量结果，Ga面较为粗糙，布满直径为1～10μm的小洞；N面较光滑，平均粗糙度为3.5nm。N层的位错密度约为109/cm2，而在HVPE的原始衬底中，位错密度仅约为107/cm2。Ga面（002）摇摆曲线的FWHM为2000弧秒，N面的为1700弧秒。FWHM值相当高，说明层的品质较差。
氨热合成技术仍处于发展阶段，预计近期内将得到进一步的改进。这种方法的生长速度约为2μm/h，满足工业要求。
图2-32 GaN在HVPE衬底两侧的氨热沉积（1cm网格[HAS 05]）
a）Ga面 b）N面
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2023-06-15
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2023-06-15
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2023-06-15
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经比较，光电子器件GaN生长采用的温度超过1000℃。面对公立和私人实验室对蓝光ZnSe激光器市场的激烈争夺，日本Nichia Chemical公司一位名叫S.Nakamura的研究人员意识到有必要解决GaN领域的问题，因为只有这样才能确保公司在市场上的竞争力。所以Nakamura直接找到他的上级，说服他提供1500万美元用于开展他的研究计划。目前他是位于Santa Barbara的加利福尼亚大学的一名教授，仍从事GaN基光电子学的研究工作。目前制约白光LED进入常规照明市场的原因是它们过高的成本。......
2023-06-15
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2023-06-23
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2023-06-15
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