除了传统的ELO生长，还有另一种只利用横向聚结的技术：悬空外延[DAV 01]。该技术的目标是优化低位错密度且高品质GaN的区域。这种技术是从竖壁上的独自生长开始的。
悬空外延技术的原理如图2-26所示。首先，SiO2掩膜沉积于GaN层上，随后条带通过衬底腐蚀，衬底还能阻止高温时的GaN成核。晶粒在相遇前只能横向生长，此后传统的ELO生长发生。横向层在SiO2表面扩张，SiO2表面沉积于GaN层之上。这样，第2次生长产生的所有成分都只能横向生长，理论上能够消除最终层中除聚结边界处以外的所有位错。因为采用ELO 2S后，位错均位于聚结边界，与掩膜带平行。这种层的横截面如图2-27所示。
悬空外延技术还有一些变种，例如无需SiO2掩膜的悬空外延[GEH00]，以及选择性悬空外延，也称为“空气桥”ELO[KID 00]。
尽管悬空外延技术比ELO更复杂，但它可以更有效地降低位错密度（106～107个位错/cm2），甚至在层更薄的时候，因为其横向生长与垂直生长的比值比ELO的大4倍。
图2-26 GaN在SiC上的悬空外延生长，图片摘自文献[DAV 01]。在第一个GaN层腐蚀后（a），晶芽在SiO2掩膜上方横向生长（b），直至完全聚结（c）
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