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共射基本放大电路简介

2023-11-24 理论教育版权反馈

【摘要】：1）电压放大倍数：2）晶体管输入电阻：3）电路输入电阻：Ri=RB∥rbe≈rbe4）电路输出电阻：Ro=rce∥RC≈RC非线性失真。晶体管有部分时间工作在截止区而引起的失真；改善方法是增大IB。温度升高，使晶体管三项参数变化，最终结果均使IC增大，电路静态工作点不稳定。分压式偏置电路。

1.共射基本放大电路组成及信号通路

（1）组成：如图4-1a所示。

图4-1 共射基本放大电路

a）电路 b）直流通路 c）交流通路

（2）信号通路：交直流并存。

直流通路：将电容开路，剩余的电路即为直流通路，如图4-1b所示。

交流通路：将电容短路，将直流电源接地，构成的电路即为交流通路，如图4-1c所示。

2.共射基本放大电路的分析

（1）静态分析。

1）静态基极电流：

2）静态集电极电流：I_CQ=βI_BQ+I_CEO≈βI_BQ

3）静态集-射极间电压：U_CEQ=V_CC-I_CQR_C

（2）动态分析。

1）电压放大倍数：

2）晶体管输入电阻：

3）电路输入电阻：R_i=R_B∥r_be≈r_be

4）电路输出电阻：R_o=r_ce∥R_C≈RC

（3）非线性失真。

1）截止失真。晶体管有部分时间工作在截止区而引起的失真；改善方法是增大I_B。

2）饱和失真。晶体管有部分时间工作在饱和区而引起的失真。改善方法是增大U_CE。(www.chuimin.cn)

截止失真和饱和失真波形如图4-2所示。

3.静态工作点稳定电路

（1）温度对晶体管参数和电路的影响：

①温度每升高10℃，I_CBO就增加一倍。

②温度每升高1℃，β相对增大0.5%～1%。

③温度每升高1℃，|U_BE|减小2～2.5mV。

温度升高，使晶体管三项参数变化，最终结果均使I_C增大，电路静态工作点不稳定。

（2）分压式偏置电路。

分压式偏置电路如图4-3所示，能稳定电路静态工作点。关键是R_E足够大，R_E具有电流负反馈作用，R_E越大，电流负反馈作用越强，I_C稳定性越好。电路分析如下。

图4-2 截止失真和饱和失真

1）静态基极电压：

2）静态基极电流：

3）静态集电极电流：

4）电压放大倍数：

5）电路输入电阻：R_i=R_B1∥R_B2∥[r_be+（1+β）R_E]

6）电路输出电阻：R_o=RC

图4-3 分压式偏置电路

但R_E的串入将降低电压放大倍数，通常在R_E两端并联一个较大的电容C_E，达到既能稳定静态工作点，又不降低电压放大倍数的作用。