计算机电路基础学习指导：选择题解答

2023-11-24 理论教育版权反馈

【摘要】：3.9 电压温度系数最小的稳压管稳定电压约为D。

3.1 P型半导体C，N型半导体C。（A.带正电；B.带负电；C.呈中性；D.不定）

3.2 PN结内电场的方向是B。（A.P→N；B.N→P；C.与电流流向有关；D.与外加电压有关）

3.3 在常温下，硅二极管开启电压约C，导通后在较大电流时正向电压降为D；锗二极管的开启电压约A，导通后在较大电流时正向电压降为B。（A.0.2V；B.0.3V；C.0.5V；D.0.7V）

3.4 温度升高后，二极管正向压降将B，反向电流将A。（A.增大；B.减小；C.不变；D.不定）

3.5 二极管正向压降从0.7V增大10%时，流过二极管的电流增大D。（A.等于10%；B.大于10%；C.小于10%；D.由与二极管串联的限流电阻决定）

3.6 硅二极管与锗二极管相比，一般情况，反向电流较B，正向压降较A。（A.大；B.小；C.不定；D.相等）

3.7 反映二极管质量的参数是C。（A.最大整流电流I_F；B.最高反向工作电压U_RM；C.反向饱和电流I_S；D.最高工作频率f_M）

3.8 稳压管通常工作在D状态下。（A.正向导通；B.反向截止；C.正向截止；D.反向击穿）

3.9 电压温度系数最小的稳压管稳定电压约为D。（A.0.2V～0.3V；B.0.6V～0.7V；C.3V左右；D.6V左右）(www.chuimin.cn)

3.10 稳压管的质量参数主要是C。（A.稳定电压U_Z；B.稳定电流I_Z；C.动态电阻r_Z；D.最大耗散功率P_ZM）

3.11 NPN型与PNP型晶体管的区别是C。（A.由两种不同的半导体材料硅或锗构成；B.掺入杂质不同；C.P区或N区位置不同；D.死区电压不同）

3.12 晶体管工作在饱和区时，PN结偏置为A；工作在放大区时，PN结偏置为B；工作在截止区时，PN结偏置为D。（A.发射结正偏，集电结正偏；B.发射结正偏，集电结反偏；C.发射结反偏，集电结正偏；D.发射结反偏，集电结反偏）

3.13 温度升高时，晶体管参数βA，I_CBOA，|U_BE|B。（A.变大；B.变小；C.不变；D.不定）

3.14 测得晶体管在放大工作状态时，I_B=30μA时，I_C=2.4mA；I_B=40μA时，I_C=3mA。则该晶体管交流电流放大系数β为B。（A.80；B.60；C.75；D.90）

3.15 晶体管属B控制型器件，场效应晶体管属A控制型器件。（A.电压；B.电流；C.正偏；D.反偏）

3.16 晶体管参与导电的载流子情况是A，场效应晶体管参与导电的载流子情况是B。（A.多数载流子和少数载流子均参与；B.多数载流子参与，少数载流子不参与；C.多数载流子不参与，少数载流子参与；D.两种载流子均不参与，是离子参与导电）

3.17 场效应晶体管与晶体管比较，下列特点中，属于场效应晶体管（多选）的是ACDF。（A.输入电阻大；B.电流控制元件；C.热稳定性好；D.易击穿；E.不便于大规模集成；F.只有一种载流子（多数载流子）参与导电）