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2025-09-30
场效应晶体管简介-计算机电路基础学习指导与习题解答
【摘要】：场效应晶体管属于单极型晶体管，即只有一种载流子参与导电。3个电极D、G和S分别称为漏极、栅极和源极，相当于晶体管的C、B和E极。图3-8 N沟道场效应晶体管转移特性图3-9 N沟道场效应晶体管输出特性曲线a）结型 b）耗尽型MOS c）增强型MOS饱和漏极电流IDSS。结型：约107Ω；MOS管：高达1015Ω。
场效应晶体管属于单极型晶体管，即只有一种载流子（多数载流子）参与导电。
工作原理是利用电场效应原理，用输入电压开启、夹断或改变导电沟道宽窄，从而控制输出电流的大小。
3个电极D、G和S分别称为漏极、栅极和源极，相当于晶体管的C、B和E极。
1.分类
（1）从结构上可分为结型和绝缘栅型（MOS型）。
（2）从半导体导电沟道类型上可分为P沟道和N沟道。
（3）从有无原始导电沟道上可分为耗尽型和增强型。
2.特性曲线
场效应晶体管的特性曲线有转移特性曲线和输出特性曲线，如图3-8和图3-9所示。
（1）转移特性：
。
（2）输出特性：
。
3.主要参数
（1）夹断电压UGS（off）（结型、耗尽型MOS适用）或开启电压UGS（th）（增强型MOS适用）。
(https://www.chuimin.cn)
图3-8 N沟道场效应晶体管转移特性
图3-9 N沟道场效应晶体管输出特性曲线
a）结型 b）耗尽型MOS c）增强型MOS
（2）饱和漏极电流IDSS。
（3）低频跨导（互导）
，相当于晶体管的β。
4.特点
①输入电阻高。结型：约107Ω；MOS管：高达1015Ω。
②电压控制元件，用栅源电压uGS控制输出电流iD。
③热稳定性比晶体管好，噪声小，抗辐射能力强，且具有零温度系数工作点。
④制造工艺简单，成本低，便于大规模集成。
⑤易击穿损坏。因此，在保存、测试和焊接时，栅极不能是悬空。
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