计算机维修教程：内存分类，了解更多！

2023-11-18 理论教育版权反馈

【摘要】：下面主要介绍DRAM 内存的分类。随着DDR 内存的推出，SDRAM 内存已退出市场。DDR2 内存的延迟时间相对于DDR 内存来说大大降低了，介于1.8～2.2 ns 之间，从而使DDR2 内存达到更高的工作频率。图3-6DDR2 内存7.DDR3 内存DDR3 与DDR2 相比工作电压更低，从DDR2 的1.8 V 降至1.5 V，DDR3 内存用0.08 μm 制造工艺制造，比DDR2 节省30%的功耗。DDR3 目前最高能够达到1 600 MHz的频率。

内存是指计算机系统中存放数据与指令的半导体存储单元，其中RAM 是最主要的存储器，通常所说的内存也就是指RAM。RAM 一般又可以分为两大类型：SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。SRAM 的读取速度快，但造价昂贵，一般被用作计算机中的高速缓存；DRAM 虽然读写速度慢，但它的价格低、集成度高，适合作为系统所需的大容量“主存”。下面主要介绍DRAM 内存的分类。

1.FPM DRAM

FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页面模式动态存储器）是较早期（386、486 时代）使用的一种内存，采用30 线或72 线SIMM 类型的接口，工作电压为5 V，带宽为32 位，基本速度为60 ns 以上，大约每隔3 个时钟周期传送一次数据。FPM DRAM内存如图3-1 所示，该种内存现在很少见了。

pagenumber_ebook=49,pagenumber_book=41

图3-1　FPM DRAM 内存条

2.EDO DRAM

pagenumber_ebook=49,pagenumber_book=41

图3-2　EDO DRAM 内存条

EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，扩展数据输出动态存储器）如图3-2 所示，是FPM DRAM 内存的替代产品，由Micron（美光）公司开发，有72 线和168 线之分。EDO DRAM 的工作电压为5 V，带宽为32 位，基本速度为40 ns 以上。它不需要像FPM DRAM 内存那样每次传送数据都需要等待资料的读写操作完成，只要规定的存取时间一到就可以读取下一个传送地址了，因此，EDO DRAM 内存缩短了存取时间。EDO DRAM内存现在已经被淘汰。

3.SDRAM

SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态存储器）是一种与CPU 外频时钟同步的内存模式。它采用168 线的DIMM 类型接口，工作电压为3.3 V，带宽为64 位，基本速度可达7.5 ns。随着DDR 内存的推出，SDRAM 内存已退出市场。图3-3 所示为SDRAM 内存。

pagenumber_ebook=50,pagenumber_book=42

图3-3　SDRAM 内存

4.RDRAM

RDRAM（Rambus DRAM）是美国的Rambus 公司开发的一种内存。与DDR 和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。RDRAM 的数据存储位宽是16 位，远低于DDR和SDRAM 的64 位，但在频率方面则远远高于二者。同样也是在一个时钟周期内传输两次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6 GB/s。

RDRAM 的速度一般可达到800 MHz，但要使用该内存，必须对内存控制器做较大的改变，而且该内存昂贵，故在PC 上很少使用，它主要用在专业的图形加速适配卡或电视、游戏机的视频内存中。图3-4 所示为一款RDRAM 内存。

pagenumber_ebook=50,pagenumber_book=42

图3-4　RDRAM 内存

5.DDR SDRAM

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）就是通常所说的DDR 内存，全称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR 内存与SDRAM 相似，只不过它在系统时钟的上升沿和下降沿都能传输数据，这样就能够将 SDRAM 的数据传输速度提高1 倍，即DDR 内存的数据传输速率是普通SDRAM 的2 倍。作为SDRAM 内存的换代产品，DDR 内存除了速度上比SDRAM 快1 倍外，它还采用DLL（Delay Locked Loop，延时锁定回路）提供了一个数据滤波信号。从外观上看，DDR 内存只有一个卡口，SDRAM 内存一般有两个卡口，这是两种内存最明显的区别。DDR SDRAM 内存如图3-5 所示。

pagenumber_ebook=51,pagenumber_book=43

图3-5　DDR SDRAM 内存

6.DDR2 内存

DDR2 内存能够提供比传统SDRAM 内存快4 倍、比DDR 内存快2 倍的数据传输速率，它是DDR 内存的换代产品。DDR 内存由于架构的局限性，当数据传输达到400 MHz后，就很难再有所提升了，而作为DDR 内存的替代者，DDR2 内存在总体上仍保留了DDR的大部分特性，所做的改进主要体现在以下5 个方面：(www.chuimin.cn)

（1）改进针脚设计。DDR2 在外观、尺寸上与DDR 内存几乎完全一样（DDR2 内存的下端也只有一个卡口，但卡口的位置与DDR 内存卡口的位置不同，所以DDR2 与DDR不能混插），但为了保持较高的数据传输率，DDR2 对针脚进行了重新定义，采用了双向数据控制针脚，针脚数由184 pin 变为了240 pin（其实DDR2 的针脚数还有200 pin、220 pin两种，240 pin 主要用于桌面PC 系列）。

（2）更小的封装。目前的DDR 内存多采用TSOP2 封装和BGA 封装，而DDR2 采用的是更为先进的CSP 无铅封装技术，芯片面积与封装面积之比接近理想比值1：1，使得单条DDR2 内存的容量增大，而且在抗噪性、散热性、可靠性和稳定性等几个方面都要优于DDR 内存。

（3）更低的工作电压。DDR2 内存采用了先进的制造工艺，将工作电压降至1.8 V，这样，DDR2 内存在功耗和发热量上都比DDR 内存要低得多。

（4）更低的延迟时间。DDR2 内存的延迟时间相对于DDR 内存来说大大降低了，介于1.8～2.2 ns 之间（DDR 内存的延迟时间为2.9 ns），从而使DDR2 内存达到更高的工作频率（1 GHz 以上）。

（5）采用了4 位预读取功能。DDR2 在DDR 的基础上新增了4 位数据预读取的特性，即增强了预读取操作的能力，这是DDR2 内存的关键技术之一。这种技术的实现，使得DDR2 内存的数据传输率提高到了DDR 内存的2 倍。

DDR2 内存自身拥有的众多优秀品质使它在很短的时间内完全取代DDR 内存的位置。DDR2 内存如图3-6 所示。

pagenumber_ebook=51,pagenumber_book=43

图3-6　DDR2 内存

7.DDR3 内存

DDR3 与DDR2 相比工作电压更低，从DDR2 的1.8 V 降至1.5 V，DDR3 内存用0.08 μm 制造工艺制造，比DDR2 节省30%的功耗。DDR3 目前最高能够达到1 600 MHz的频率。所做的改进主要体现在以下几个方面：

（1）8 位的预取设计（DDR2 为4 位预取），这样DRAM 内核的频率只有等效数据频率的1/8，DDR3-800 的核心工作频率（内核频率）只有100 MHz。

（2）采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

（3）采用100 nm 以下的生产工艺，增加异步重置（Reset）与终端电阻校准功能。DDR3 内存如图3-7 所示。

pagenumber_ebook=52,pagenumber_book=44

图3-7　DDR3 内存

8.DDR4 内存

DDR4 内存由芯片、散热片和金手指等部分组成。DDR4 内存是目前最新一代的内存类型，相比DDR3，性能提升有3 点，即16 bit 预读取机制（DDR3 为8 bit），在同样内核频率下理论速度是DDR3 的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2 V，更节能。DDR4 内存如图3-8 所示。

pagenumber_ebook=52,pagenumber_book=44