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PCNA基SERS基板的制备及表征

【摘要】:利用氮吸附法在NOVA 2200e仪器上测量PCNA等样品的比表面积,采用的是解吸等温线法,温度设定为77 K。用去离子水洗涤后,最终得到紧密贴合在Si晶片上的PCNA基板。进行表征和SERS测量之前,所有PCNA基板均保持在密封干燥的环境中。图2.17多孔碳纳米线阵列的合成和表征合成PCNA的步骤;PPNA和PCNA的拉曼光谱;PPNA和PCNA的I-V曲线测量,碳化过程后,基板的电导率显著增加,表明PCNA具有典型的半导体特征;PPNA和PCNA的 EDS光谱

吡咯单体购自中国阿拉丁生物化学技术有限公司。厚度为60 μm,直径为13 mm,内部孔直径为100 nm的AAO模板购自美国沃特曼有限公司(Whatman Co.Ltd.)。本研究中的所有化学品均购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司,若未经特别说明,这些化学试剂与化学药品在实验过程中可拿来直接使用。商业金属基材(Ag-Au纳米颗粒杂化基材)由波兰的SERSitive 公司生产。

通过使用SEM(JEOL JSM-7600F),在5 kV的加速电压下表征样品(PCNA基底)的形态和结构。配备有SEM的能量色散X射线(EDX)检测器用于表征所制备样品的表面形态和元素组成。用吉时利公司4200型数字源表在室温下测试并记录PPNA和PCNA基板的电流-电压(I-V)特性。利用氮吸附法在NOVA 2200e仪器上测量PCNA等样品的比表面积(SSA),采用的是解吸等温线法,温度设定为77 K。PPNA和PCNA基板的拉曼光谱是通过使用RM 2000显微共焦拉曼光谱仪(英国Renishaw PLC)获得的,激发光波长选择为514 nm。

在电聚合过程之前,通过在AAO模板的一侧溅射厚度为1 μm的Au层来获得导电层。使用由AAO模板作为工作电极,银/氯化银电极作为参比电极,铂(Pt)箔作为对电极组成的自制三电极测试系统将PNA聚合在AAO模板中。首先,在电沉积过程中,使用循环伏安法在含有0.1 mol/L的LiClO4和0.1 mol/L吡咯的色谱乙腈溶液中以500 mV/s的扫描速率进行扫描。循环伏安法电势的扫描范围控制在0~1.0 V。电沉积过程后,把样品放在去离子水中洗脱几次。其次,通过使用含有悬浮硫簇的100℃二甲基亚砜(DMSO)溶液,采用电降解工艺处理PNA,通过使用循环伏安法在200 mV/s的扫描速率下让PNA表面形成纳米孔从而获得PPNA。然后,将PPNA置于氩气气氛中在800℃的温度下以10℃/min的加热速率退火2 h,最终获得生长在AAO模板中的PCNA基板。

接下来使用机械抛光方法去除AAO模板底部的Au层,再将样品浸入王水中以完全除去残留的Au;随后将PCNA转移到裸露的Si晶片上;最后,使用浓度为6 mol/L的NaOH水溶液去除置于Si晶片上的AAO模板。由于电聚合过程中,PCNA的底部通过PPy相互连接,因此去除Au和AAO模板后,PCNA仍然能够保持完整而不松散。用去离子水洗涤后,最终得到紧密贴合在Si晶片上的PCNA基板。进行表征和SERS测量之前,所有PCNA基板均保持在密封干燥的环境中。

PCNA是一种无金属且基于碳的拓扑结构定制的纳米结构,它由多孔纳米线的二维阵列组成,是一种灵敏度高、生物相容性好和可复制SERS的有效基板。PCNA的合成和表征如图2.17所示,首先,通过常规的模板辅助电聚合方法和AAO模板制备PPy纳米线阵列;其次,工作电极与反电极互换;然后,PNA在含有硫簇的高温二甲基亚砜(DMSO)溶液中在相反的施加电压下经历电降解过程,从而在每根PPy纳米线表面形成大量纳米孔,从而有效地增加纳米线的比表面积和粗糙度;最后,将高温下的碳化过程应用于PNA以生成具有SERS活性的PCNA。碳化后,PCNA的每条多孔纳米线的平均直径为140 nm,平均长度为15 μm,与AAO模板的孔径一致。PCNA的放大扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在PCNA上分布了许多平均直径约为50 nm的孔,从而导致其具有较高比表面积的分形纳米结构。另外,如图2.17(b)所示,所制备的PPNA和PCNA拉曼光谱结果表明,PPNA碳化后得到PCNA的所有特征拉曼峰(870 cm-1、930 cm-1、1 050 cm-1和1 246 cm-1)都消失了。如图2.17(c)所示,随后对PPNA和PCNA的电流-电压(I-V)曲线测量结果表明,由于碳化处理显著提高了其电导率,因此多孔碳纳米材料可作为半导体发挥作用。此外,制备出的PPNA和PCNA的能量色散X射线光谱(EDS)结果表明,碳化过程后PCNA碳组成比例显著增加,如图2.17(d)所示。

图2.17 多孔碳纳米线阵列(PCNA)的合成和表征

(a)合成PCNA的步骤(右下图显示了PCNA的SEM图像和单根多孔碳纳米线的放大SEM图像);(b)PPNA和PCNA的拉曼光谱(碳化过程之后,PNA在870 cm-1、930 cm-1、1 050 cm-1和1 246 cm-1处的所有特征拉曼峰都消失了,这在PCNA光谱中很明显);(c)PPNA和PCNA的I-V曲线测量(在测量中,多孔PPy纳米线和多孔碳纳米线的长度和接触面积分别为约15 μm和约0.5 mm2),碳化过程后,基板的电导率显著增加,表明PCNA具有典型的半导体特征;(d)PPNA和PCNA的 EDS光谱(结果表明,碳化后碳的组成比明显增加)