图7.1.6PN结的形成PN结的单向导电性1)外加正向电压外加正向电压是指在P区接高电位,N区接低电位,此时PN结正向偏置,如图7.1.7所示。此时,PN结呈现出小电流、大电阻的电路特性,这种特性称为PN结反向截止。PN结及其单向导电性是各种半导体器件的共同基础。图7.1.8PN结外加反向电压7.1.1P型半导体和N型半导体的特点是什么?......
2023-06-21
一维纳米材料包括纳米线、纳米管和纳米带等多种形貌。由于其在光电器件和纳米器件等电子元件上有潜在的广泛应用,因此目前有很多研究人员都在探索一维纳米材料的新型制备方法。有机π-体系共轭分子由于其有趣的电学、光学和光电性能等,从而被广泛应用于场效应晶体管、LED、光伏电池材料和电子学器件等多种相关的器件。共轭聚合物材料,也被称为有机半导体,在很多领域都具有很好的应用价值。相对于无机半导体材料而言,纳米线、纳米管和纳米阵列等有机π-体系共轭高分子纳米材料由于其独特的电化学和电子性能,以及具有易加工、韧性高等无机材料不具备的优势,目前被越来越多的人所关注。
有机π-体系共轭高分子材料可以通过简单的化学或者电化学方法制备得到,由于共轭高分子的溶解性较差,且较难得到大面积的单晶状态,因此共轭高分子一般很难通过自组装的方法得到规则有序的纳米结构。目前,作为导电聚合物的共轭高分子纳米结构的制备方法主要有硬模板法、软模板法以及无模板法。硬模板通常是指很薄(60 μm)的多孔氧化铝膜。一般使用硬模板可以采用加压注射(Pressure Injection)、气相沉积(Vapor Deposition)、化学沉积(Chemical Deposition)和电沉积(Electrode Position)等多种方法得到共轭高分子材料的一维纳米结构。其中,应用电沉积方法,可以通过调节电化学合成过程的条件来实现对纳米结构尺寸大小的控制。
一般来说,可以通过反应条件的精确控制来得到满足不同需要的纳米线和纳米管等一维纳米结构。例如,具有柔韧特征的纳米线和管壁厚度可控的纳米管就有可能应用在相关领域的纳米级电子器件中。另外,还可以采用有机导电高分子制得具有柔韧性的太阳能电池与储能材料。
之前一些关于有机共轭导电高分子纳米线和薄膜的研究表明,导电高分子纳米结构的电学性质往往取决于聚合物的结构。具体来说,影响导电高分子纳米材料电学性质的因素主要包括:聚合条件、掺杂浓度、平衡离子等。其中,导电高分子的掺杂可以通过掺杂无机或者有机分子来实现,而通过掺杂得到的导电高分子材料,则具备单纯共轭高分子材料所不具备的性质。在这部分工作中,所选的二吡咯单体是在两个电子给体的吡咯环中间通过芳香环或者其他电子受体桥相连,使该二吡咯分子的荧光由于π-体系的扩展而增强,这些功能使该材料在光电驱动技术中可能有较好的应用前景。本节通过电化学聚合结合AAO模板的方法成功制备出具有一维纳米结构的导电高分子PBPB的纳米线和纳米管。该部分工作的优势在于通过有效和精确的控制,很容易改变这种一维纳米材料的形貌和结构。同样,二吡咯聚合物PBPB的电学性质将与其中掺杂离子的种类、掺杂情况和掺杂浓度有直接的关系。
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图7.1.6PN结的形成PN结的单向导电性1)外加正向电压外加正向电压是指在P区接高电位,N区接低电位,此时PN结正向偏置,如图7.1.7所示。此时,PN结呈现出小电流、大电阻的电路特性,这种特性称为PN结反向截止。PN结及其单向导电性是各种半导体器件的共同基础。图7.1.8PN结外加反向电压7.1.1P型半导体和N型半导体的特点是什么?......
2023-06-21
图7.1.2单晶硅晶体结构本征半导体纯净的、结构完整的半导体晶体,称为本征半导体。图7.1.4N型半导体图4-32 真空泵通过连接软管与三通压力表阀连接图7.1.5P型半导体2)P型半导体在硅(或锗)的晶体中掺入三价铝,铝原子的最外层有3个价电子,在替代原有晶格上的硅原子时,在4个共价键上会多出一个空穴,如图7.1.5所示。这种杂质半导体内空穴的浓度远高于自由电子浓度,故称空穴型半导体或P型半导体。......
2023-06-21
①线性电阻器的伏安特性曲线是一条通过坐标原点的直线,如图2-1-1中a直线所示,该直线的斜率等于该电阻器的电阻值。正向压降很小,正向电流随正向压降的升高而急剧上升,而反向电压从零一直增加到十至几十伏时,其反向电流增加很小,粗略地可视为零。可见,二极管具有单向导电性,但反向电压加得过高,超过管子的极限值,则会导致管子击穿损坏。......
2023-06-23
PN结的P型区由于失去空穴、得到电子而带负电,PN结的N型区由于失去电子、得到空穴而带正电,由此而形成的电场称为PN结电场。由于PN结内的电子与空穴已经复合,没有载流子,所以PN结又称为耗尽层。图11PN结的结构示意图2.PN结的特性PN结具有单向导电特性,即加正向电压导电,加反向电压不导电。PN结的单向导电特性原理如图1-2所示。图12PN结的单向导电特性......
2023-06-28
导电高分子由于在形貌上可塑性很强,因此也被广泛用来制备一维纳米结构材料。图1.6一些常见导电高分子的分子结构导电高分子是指由一些具有共轭键的聚合物经化学或电化学掺杂后形成的、导电率可从绝缘体延伸到导体范围的一类高分子材料。一般来说,导电高分子材料通常分为复合型和结构型两大类。按照导电机理一般又可将其分为电子导电高分子材料和离子导电高分子材料两种。......
2023-06-30
高的切割速度1200W的CO2激光切割2mm厚低碳钢板的切割速度达到0.1m/s,切割5mm厚有机玻璃的切割速度0.2mm/s;激光切割钢板生产率达到冲模下料的30%左右。试验设备和材料 其试验设备采用波长为10.6μm、功率为4kW的快速轴流CO2激光器,光束聚焦使用125mm的透镜。......
2023-06-26
PAR灯是采用大功率LED作为光源并且需要专用的PAR灯透镜的灯具。包括PAR16、PAR20、PAR30、PAR38、PAR64等。常见的有PAR30、PAR38,功率有5×1W、7×1W、12×1W。无论PAR30还是PAR38,其使用的LED透镜的外形规格都是相同的,最大直径一般为19.8mm左右,卡口(台阶)直径为17.8mm左右。3)PAR灯透镜的安装,除了利用灯杯前部面板卡VI固定外,透镜的小内口与LED的接触方式也有两种。2)PAR灯透镜以38°应用得最多。......
2023-06-15
脉冲激光切割的主要工艺参数是激光平均输出功率、脉冲峰值功率、脉冲频率和脉冲持续时间、切割速度、焦点位置和辅助气体。脉冲频率 脉冲频率影响切割面的表面粗糙度和热影响区宽度。......
2023-06-26
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