如何设置PVT角：最佳实践

2023-06-26 理论教育版权反馈

【摘要】：然而如果单元库厂商没有less FAST/SLOW，就需要用单元延时拉偏的方法来模拟片上PVT参数不平衡所导致的单元延时的差别。设置的方法为对FAST scenario：即一部分电路用最快的PVT参数下单元的延时，另一个部分电路在最快单元延时的基础上增加10%的延时，从而模拟实际电路中单元PVT参数不完全相同的情况。在ICC的manual中针对每一个命令都有关于它对于multi-scenario的支持，对于不熟悉的命令和参数应当根据manual中的介绍来进行设置，防止其工作状态与设计人员预期不符。

首先读入SDC文件，如果使用了scenario功能，需要在每个scenario中运行SDC文件，因为绝大多数时序约束语句只有在当前scenario中有效。如果芯片有DFT和BIST电路，往往需要有一个专门的SDC文件，而不能用普通功能状态下的SDC文件来代替。

上面已提到过的se_toperating_conditions具体设置方法如下：

其中analysis_type用来指定BC_WC还是OCV，-max和-min为lib中的condi-tion name，-max_lib和-min_lib为lib中的lib name，通常而言lib名就是db的文件名，但还是需要打开lib文件查看。

在深亚微米工艺下，通常要为每种工作功能模式（function、DFT、BIST）分别建立一个FAST和一个SLOW的scenario，如果单元库厂商提供了FAST/SLOW以及less FAST/SLOW，可以在FAST scenario中使用FAST为min lib，less FAST为max lib；在SLOW scenario中使用less SLOW为min lib，SLOW为max lib。然而如果单元库厂商没有less FAST/SLOW，就需要用单元延时拉偏的方法来模拟片上PVT参数不平衡所导致的单元延时的差别。设置的方法为对FAST scenario：

即一部分电路用最快的PVT参数下单元的延时，另一个部分电路在最快单元延时的基础上增加10%的延时，从而模拟实际电路中单元PVT参数不完全相同的情况。对SLOW scenario则为

除了设置电路整体的拉偏参数，ICC也支持更为精确的拉偏方法：AOCVM（Ad-vanced On-Chip Viaration Modeling）。使用AOCVM可以提供每一种单元的拉偏系数，这样电路上的延时计算就更加精确，为此预留的时序余量可以相应地减小一些。如果单元库厂商提供了AOCVM，推荐设计人员在设计中使用，所需要用到的命令包括

除了设置不同工作模式下的FAST和SLOWscenario外还可以设置一个专门用于静态功耗的scenario，设置通常为

此外，对于使用单元延时拉偏的情况下，在计算数据路径和时钟路径时，往往路径开始部分是有重叠的，如果是同一个时钟域，该情况更为普遍，共享路径所占比例也更高。对于同一段电路，由于拉偏参数的存在会得到不同的延时，这样会使得时序检查过于悲观，不利于后续优化。如果不希望对共享电路进行拉偏，可以设置

除了上述的设置，ICC中还有不少设置只针对当前scenario有效，设计人员在多scenario设计中应当注意这一点，包括在上一节中提到的读入SDC文件，读入Tlu+文件均需在每个scenario下进行一遍。在ICC的manual中针对每一个命令都有关于它对于multi-scenario的支持，对于不熟悉的命令和参数应当根据manual中的介绍来进行设置，防止其工作状态与设计人员预期不符。

如何设置PVT角：最佳实践

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