首页 理论教育场效应管分类:简介与应用

场效应管分类:简介与应用

【摘要】:场效应管根据结构的不同可以分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。图1-36所示为典型场效应管的分类及图形符号。绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体材料制成,简称MOS管。可见结型场效应管在某种意义上是一个用电压控制的可变电阻器。它与结型场效应管的外形相同,只是型号标记不同。

场效应管根据结构的不同可以分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。图1-36所示为典型场效应管的分类及图形符号

场效应管一般具有3个极(双栅管具有4个极),即栅极G、源极S和漏极D,它们的功能分别对应于前述的双极型三极管的基极B、发射极E和集电极C。由于场效应管的源极S和漏极D在结构上是对称的,因此在实际使用过程中有一些可以互换。

场效应管按其结构不同分为两大类,即结型场效应管和绝缘栅型场效应管。绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体材料制成,简称MOS管。

978-7-111-57527-6-Chapter01-39.jpg

图1-36 典型场效应管的分类及图形符号

MOS管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两种,每种类型按其导电沟道不同又分为N沟道和P沟道两种。结型场效应管按其导电沟道不同也分为N沟道和P沟道两种。

1.结型场效应管

图解演示

结型场效应管是利用沟道两边的耗尽层宽窄,改变沟道导电特性来控制漏极电流的,图1-37所示为结型场效应管的实物外形。

提示说明

结型场效应管按其导电沟道可分为N沟道和P沟道两种,结型场效应管是在一块N型(或P型)半导体材料两边制作P型(或N型)区,从而形成pn结所构成的。与中间半导体相连接的两个电极称为漏极Drain(用D表示)和源极Source(用S表示),而把两侧的半导体引出的电极相连接在一起称为栅极Gate(用G表示)。如果把结型场效应管与普通三极管做一对照,则漏极(D)相当于集电极(C),源极(S)相当于发射极(E),栅极(G)相当于基极(B),当然这里只是一种对应关系,其电压和电流的关系是有区别的。

978-7-111-57527-6-Chapter01-40.jpg

图1-37 结型场效应管的实物外形

1-38所示为典型结型场效应管的工作原理。

978-7-111-57527-6-Chapter01-41.jpg

图1-38 典型结型场效应管的工作原理

G、S间不加反向电压即UGS=0),pn图中阴影部分的宽度窄,导电沟道宽,沟道电阻小,ID电流(DS间的电流G、S间加负电压时,pn结的宽度增加,ID电流变小,导电沟道宽度减小,沟道电阻增大G、S间负向电压进一步增加时,pn结宽度进一步加宽,两边pn结合拢称夹断),没有导电沟道,电流ID0,沟道电阻很大。通常把导电沟道刚被夹断的UGS值称为夹断电压,用UP表示。可见结型场效应管在某种意义上是一个用电压控制的可变电阻器。

2.绝缘栅型场效应管

图解演示

绝缘栅型场效应管是利用感应电荷的多少,改变沟道导电特性来控制漏极电流的,图1-39所示为绝缘栅型场效应管的实物外形。它与结型场效应管的外形相同,只是型号标记不同。

978-7-111-57527-6-Chapter01-42.jpg

图1-39 绝缘栅型场效应管的实物外形

提示说明

绝缘栅型场效应管按其工作方式的不同分为耗尽型和增强型,同时又都有N沟道及P沟道。

绝缘栅双极型晶体管也称门控管,简称IGBT,是一种高压、高速的大功率半导体器件。门控管是变频器驱动电路中的功率驱动器件,其实物外形和电路符号如图1-40所示。

978-7-111-57527-6-Chapter01-43.jpg

图1-40 门控管的实物外形和电路符号