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2023-06-23
TNY256P的四个引脚分别是S—源极、D—漏极、BP—旁路端、EN—使能端,充电电流流进振荡器,振荡器调制占空比,再由控制门控制MOS管驱动,如图6-7所示。
图6-7 TNY256P内部电路框图
1.振荡器
片外不需加阻容元件,IC就能振荡。振荡器产生两个信号:一个是占空比控制信号,Dmax可达0.68;另一个是时钟信号,作为每个周期的起始信号,设计开关频率为44kHz。值得注意的是,开关频率不能太高,否则会增加容性开关损耗。
2.使能端
使能端的关断电流为10μA,有10μA的滞后电流。当使能端的输出电流达50μA时,RS触发器复位,开关主控门关闭,MOS管不工作,当使能端输出电流小于40μA时,MOS管才可以工作。使能控制信号是从输出电压取一信号与基准电压VREF进行比较后产生的。为实现电气隔离,还应增加光耦合器,光耦合器中接收晶体管接使能端和S极于地。当Vo上升使光耦合器的发光二极管发光强度增加,当IEN=50μA时,MOS管不工作,使Vo下降达到稳压目的。
3.开/关控制器和输出级
由图6-7可知,开/关控制器主要包括有RS触发器、与门电路、或门电路、MOS管驱
动等器件,其中YZ为主控门。MOS管关断时漏极电流IDSS≤50μA,漏-源极导通电阻RDS(on)=3.1Ω。需要说明的是,TNY256P在工作时跳过时钟周期数越多,MOS管输出的频率越低,这就是固定占空比而频率可调的脉冲频率调制器,设T=1/130kHz≈7.7μs,占空比Dmax=0.67,MOS管的最大导通时间ton(max)=DmaxT=0.67×7.7μs=5.16μs。
4.保护电路
当输入电压Vi降低导致VBP下降,若VBP<5.1V,开关功率MOS管立即关断,起到欠电压保护的作用;当芯片的结温Tj>135℃时,过温保护电路输出低电平,将输出关闭,使芯片温度降低,直到Tj<70℃,输出才重新启动,开始工作;TNY265P的极限电流为0.31A,当控制IC的漏极电流ID≥极限电流时,过电流比较器翻转,变为高电平输出,将RS触发器置零,使驱动MOS管关断。为了防止在超快恢复二极管产生尖峰电压,造成MOS管误关断,故设计有前沿闭锁电路,其闭锁时间tEEB=215~240ns,由于闭锁时间大于反向恢复时间,电路能在闭锁时间内将过电流比较器输出的尖峰电压封锁住,可避免MOS管在刚导通时尖峰电压关断所产生的误动作。输入欠电压保护阈值为100V。
5.上电/掉电功能电路
如图6-8所示,在IC1的旁路端接入C7后,可为MOS管提供电能,因C7容量很小,所以上电延迟时间仅为0.3ms,这样开关动作迅速,不会使输出产生过冲现象;当输入电压低于12V时,MOS管被关断,掉电时为0.26ms,为PWM迅速转换、降低MOS管损耗创造了条件。
图6-8 高效率能自动启动TNY256P四端单片TNY256P原理图
6.5.8V稳压器
该稳压器的输入端接漏极电压VD,输出端接旁路电容C7。当开关功率管关断时,5.8V电压对C7充电,使VC7=5.8V。当功率管导通时,C7上的存储电压向芯片IC1供电,所以说C7起到储能供电和高频退耦的作用,但BP端不能向外部电路供电。
TNY256P的内部电路的振荡器增设了抖动输入端自动启动计数器,当输出发生过载、短路、开路时,芯片立即进入自动启动状态,使计数器复位,将Vo拉下来。电感L1、阻尼电阻R1和滤波电容C1、C2组成高频滤波器,抑制高频干扰。R2、C3和VD1组成漏极钳位保护电路。二次电压通过VD2、L2、C4、C5、C6整流滤波后获得9V、1.5A的电压、电流输出。
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