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Tinyswitch—Ⅲ系列工作原理简介

【摘要】:Tiny switch—Ⅲ系列的内部结构如图6-5所示,图中S、D脚分别为功率开关管MOSFET的源极和漏极。BP/M脚为旁路多功能脚,如作旁路使用时,该脚与地(S极)之间接入0.1μF的旁路电容。当旁路电容CBP=0.1μF时,极限电流为I1imit=650mA,当CBP=1μF时,I1imit=700mA;当CBP=10μF时,I1imit=750mA,它的优点是能保证相近型号之间具有良好的兼容性,能相互替换。

Tiny switch—Ⅲ系列的内部结构如图6-5所示,图中S、D脚分别为功率开关管MOSFET的源极和漏极(4个源极在内部连接)。EN/UV脚为“使能/欠电压”双能引出脚,正常情况下,通过该脚可控制MOSFET的导通和截止;若在该脚与直流输入电压之间连接一只外接电阻,可对输入电压进行检测。BP/M脚为旁路多功能脚,如作旁路使用时,该脚与地(S极)之间接入0.1μF的旁路电容。BP/M脚具有多功能特性,如果改变旁路电容的容量,即可改变漏极电流的大小;该脚还能提供关断功能,具体方法是在反馈电压的输出脚与BP/M脚之间接一只稳压二极管,即可实现输出过电压保护。芯片内部还集成了一只耐压700V的MOSFET和一个开/关控制器,它是通过开/关控制器来调节输出电压,而不是利用PWM脉宽来调整输出电压。开/关控制器包括振荡器、5.85V稳压器、6.4V稳压管、使能检测与逻辑电路、极限电流状态、抑制过电流并进行保护和自动重启计数器等作用。

当旁路电容CBP=0.1μF时,极限电流为I1imit=650mA,当CBP=1μF时,I1imit=700mA;当CBP=10μF时,I1imit=750mA,它的优点是能保证相近型号之间具有良好的兼容性,能相互替换。

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图6-5 TNY279P内部结构及引脚配置排列图