NCP1207电路元器件参数的计算方法

2023-06-25 理论教育版权反馈

【摘要】：IPK=Ipi/Dmin=0.611/0.347A=1.761A峰值电压的计算式中，LP为变压器一次绕组电感，设LP=0.75mH。NCP1207输出驱动电流为7mA。NCP1207的供电电压为12V和10V，低于5.3V将启动关断锁定保护，R15是VT1栅极驱动电阻。

1.整流滤波电容C₅的计算

（1）一次整流输入最低直流电压

（2）一次整流输入最高直流电压

（3）电路输出、输入功率

P_o=V_oI_o+V_o1I_o1=18V×4A+12V×0.5A=78W设NCP1207电源转换效率为0.85，则

式中，f为电网输入交流电压频率，50Hz；是半个周期时间，10ms；t_c为半个周期的充电时间，3ms（第1章已计算）。

（4）输入电流I_pi=P_i/V_Bmin=91.77/150.24A=0.611A

2.整流二极管及开关MOS管的计算选用

（1）峰值电流的计算I_PK

根据不同的输入功率，变压器一次绕组的感应电压查表3-1可得V_Bmin=150.24V，V_Bmax=303.52V。计算变压器匝数n=（V_Bmin-V_Dscon）/[（V_o+V_D）η]=（150.24-10）/[（18+0.4）×0.85]=8.967。

上述占空比的计算适用于正激式、反激式、半桥式、全桥式、推挽式，但不适用于单片和DC/DC变换电源。

I_PK=I_pi/D_min=0.611/0.347A=1.761A

（2）峰值电压（V_DSP）的计算

式中，L_P为变压器一次绕组电感，设L_P=0.75mH。

整流二极管所承受的工作电流为最大的峰值电流一半的3倍；所承受的工作电压应选为最大峰值电压的两倍，即

根据表3-1选用1N5406型整流二极管，其技术参数为最高反向工作电压V_BM=600V，额定整流电流I_D=3A，结果1N5406可满足上述整流电路要求。

表3-1 输出功率与变压器一次感应电压的关系

3.吸收回路的计算

吸收回路由图3-1所示的R₃、R₄、C₆、VD₁组成。设吸收回路的工作周期T=10μs，一次绕组电感L_P=0.85mH，则吸收回路电阻R_P=R₃∥R₄为

式中，I_dc为输入平均电流，I_dc=（P_i/V_i（min））D_min=（91.77/120.19）×0.347A=0.271A

时间常数

开关管VT₁上的峰值电压（V_DSP）减去R_P的端电压V_RP，就是阻塞二极管VD₁所承受的正向电压。

计算高频变压器的二次电压V_S1。

第1章已讨论，半波整流输出电压V_o=0.45V_s，电解电容滤波后V_o=（V_S-V_D）×0.707，所以V_S=V_o/0.707+V_D。

V_S1=V_o/0.707+V_D+V_L=（18/0.707+0.4+0.3）V=26.16V

现设变压器的电压比n=V_S1/V_Bmax=26.16/303.52=0.086，V_RP=V_S1/n=26.16/0.086=304.19，所以VD₁所承受的电压为V_DSP-V_RP=505.48V-304.19V=201.29V，选用耐压值300V、电流1A以上的超高快速恢复二极管AV106。

又根据峰值电压498V，选用反向击穿电压V_（BR）DS为800V、最大漏电流I_Dmax为3.5A的ZSK2645-01型N沟道MOSFET。

4.图腾柱快速开关电路的计算

MOSFET的导通电压一般为10V，电压越高，导通的速度越快，导通电阻越小。开关MOS管是用电压驱动的，几乎与输出电流大小无关。“图腾柱”驱动电路的输出电流大小是驱动MOSFET快速开关的重要参量。它的开启阈值为4～5V，关断电压为-4～-8V。NCP1207输出驱动电流为7mA。VT₅是属于NPN型快速开关断晶体管，它的导通电压为0.7V，锗管是0.3V。所以R₁₄=U_be7/I_drv=0.7/（7×10^-3）Ω=100Ω。NCP1207的供电电压为12V和10V，低于5.3V将启动关断锁定保护，R₁₅是VT₁栅极驱动电阻。

计算VT₅的集电极电流。VT₅、VT₆在电路中起开关作用，它的放大性能很小，设VT₅的放大倍数β=5，则I_c≈I_e=βI_b=7×5mA=35mA。这时R₁₅=V_g1/I_e5=5/（35×10^-3）Ω=143Ω，取150Ω。

NCP1207电路元器件参数的计算方法

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