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光耦合器的主要参数分析

【摘要】:光耦合器的主要参数有电流传输比CTR、绝缘电压VDC、最大正向电流IFM、反向击穿电压VCEO、饱和压降VCES、暗电流IR。电流传输比CTR是光耦合器的重要参数,在接收管的输出保持不变时,它的输出电流Io与输入电流Ii之比就是传输比,CTR=Io/Ii×100%。图2-11 NEC-2501光耦合器如PC817的传输比为80%~160%,4N30为100%~5000%。

光耦合器的主要参数有电流传输比CTR(>100%)、绝缘电压VDC(>1550V)、最大正向电流IFM(>60mA)、反向击穿电压V(BR)CEO(>30V)、饱和压降VCES(<0.3V)、暗电流IR(=50μA)。在这些参数里,前两个参数比较重要,设计电路时也要考虑IFMVCES

根据光耦合器的结构和内部电路,可用万用表的R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻,其中正向电阻为2kΩ左右,反向电阻为无穷大;接收晶体管CE极的电阻为无穷大。绝缘电阻可用2500V的ZC11-5型绝缘电阻表进行测量,若测得的绝缘电阻大于1010Ω,证明质量很好。

NEC-2501的引脚排列如图2-11所示。靠近黑圆点的为第一脚,它是发光二极管的正极,然后按逆时针数各个脚位。电流传输比CTR是光耦合器的重要参数,在接收管的输出保持不变时,它的输出电流Io与输入电流Ii之比就是传输比,CTR=Io/Ii×100%。

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图2-11 NEC-2501光耦合器

如PC817的传输比为80%~160%,4N30为100%~5000%。可见,4N30只需要较小的输入电流,就可以变换输出为较大的电流,具有放大作用,因此选择合适的电压或电流传输信号而且呈线性关系是很重要的。