轧件方面的因素1）热轧板卷的纵向厚度偏差。作为冷轧原料的热轧板卷在纵向的厚度差会造成轧制过程中压下量的改变，从而引起轧制力的波动，导致辊缝发生偏差，使轧出厚度发生变化。而电动机械压下系统惯性大、速度慢、精度低，显然不能满足上述要求。因为液压压下系统有自动及快速卸压装置，故可以防止轧辊及其轴承的过载和损坏。......
2025-09-29
晶体管的开关时间与损耗优化方案
【摘要】：晶体管的开关作用与晶体管的放大作用是不同的。2）上升时间tr：集电极电流IC从10%ICM上升到90%ICM所需的时间。4）下降时间tf：集电极电流IC从90%ICM下降到10%ICM所需要的时间。图2-6 晶体管的基本开关电路及开关波形根据实际，晶体管有两个时间参数，即开启时间和关断时间。晶体管作为开关应用时，在每一个周期内，晶体管工作在3个不同区域，即放大区、饱和区和截止区。晶体管由饱和转为截止，或由截止转为饱和时的损耗称为开关损耗。
晶体管的开关作用与晶体管的放大作用是不同的。放大只是对电流或电压的作用，在共发射极电路中，输出波形与输入波形之间有180°的相位差；而对于晶体管的开关作用，虽然输出与输入波形之间有180°的相位差，但它的波形不是一个正弦波或三角形，而是一个被时间拖延了的矩形波。为了表述它的波形特征，引入了4个时间参数。图2-6所示就是4个时间参数的开关波形。
1）延迟时间td：从输入信号Vin开始变正起到集电极电流IC上升到最大值ICM的10%所需要的时间。
2）上升时间tr：集电极电流IC从10%ICM上升到90%ICM所需的时间。
3）存储时间ts：从输入信号Vin开始变负起到集电极电流IC下降到90%ICM所需要的时间。
4）下降时间tf：集电极电流IC从90%ICM下降到10%ICM所需要的时间。
图2-6 晶体管的基本开关电路及开关波形
根据实际，晶体管有两个时间参数，即开启时间和关断时间。开启时间为ton=td+tr，关断时间为toff=ts+tf。在晶体管的4个时间参数中，存储时间最长，它最决定开关速度的主要因素。(https://www.chuimin.cn)
晶体管作为开关应用时，在每一个周期内，晶体管工作在3个不同区域，即放大区、饱和区和截止区。因此，晶体管的功率损耗也由3部分构成：
1）通态损耗。当晶体管饱和导通时，虽然有较大的集电极电流ICES流过管子，但这时晶体管的饱和压降VCES很小（硅管为0.3V，锗管为0.7V），管子的功率损耗（ICESVCES）很小，变化余地不大。
2）断态损耗。当晶体管截止时，虽然VCE很大，但管子的漏电流ICEO很小（nA级），此时管子的损耗（VCEICEO）也是非常小的。
3）开关损耗。晶体管由饱和转为截止，或由截止转为饱和时的损耗称为开关损耗。通常，这种损耗也称为渡越损耗。在开启和关闭这两段时间内，晶体管的压降和电流都很大，因此，管耗也较大。对于高频开关电源来说，开关管的渡越损耗占晶体管整个损耗的80%，而且与电路中的参数选择有很大的关系。在开关电源电路中，选用晶体管的依据是型号、集电极-发射极的击穿电压V（BR）CEO、电流增益hFE、存储时间ts、下降时间tf、集电极电流IC等参数。不同功率的开关电源所用晶体管如表2-2所示。
表2-2 不同功率的开关电源所用晶体管（包括MOSFET）
①PFC为功率因数校正。
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