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IGBT驱动电路的设计和优化

【摘要】:图2-3 IGBT伏安特性曲线图2-4 直接驱动IGBT电路IGBT驱动方式有隔离式和直接式两种。图2-4所示的VT2、VT3组成推挽式前置放大器,R8、C2组成微分电路,加速IGBT的关断和导通,提高开关速度,降低驱动损耗。Ig2的大小由电容容抗和电路阻抗及IGBT的特性来决定。好的栅极触发波形,不但是保护好IGBT,使之延长管子的使用寿命,更重要的降低电路电能损耗,提高电源效率。

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图2-3 IGBT伏安特性曲线

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图2-4 直接驱动IGBT电路

IGBT驱动方式有隔离式和直接式两种。直接式是驱动电路直接与主电源电路连接。图2-4所示的VT2、VT3组成推挽前置放大器R8C2组成微分电路,加速IGBT(VT4)的关断和导通,提高开关速度,降低驱动损耗。图2-4所示为浮动开关晶体管隔离式驱动电路。它的工作过程是这样的:当变压器TR的二次侧出现正脉冲电压Vg时,这时栅极驱动电流Ig1流进驱动IGBT(VT2)的栅极,使之导通,电阻R1将流入IGBT的电流限制在额定范围内,集电极电流Id迅速地给电容C2充电,充电电压为

Vc=Vg-Vge-Vd式中,Vg是变压器二次电压,也称驱动电压;Vge为IGBT的栅极-发射极的饱和电压;Vd是二极管的正向偏置电压,一般为0.7V。

如果变压器的二次电压为零时,则电容器C2使VT2的栅极经电阻R1L2处于正向偏压,使VT2导通,这时把VT1的栅极接到负电位,因而栅极电流Ig2得到提高,如图2-5所示。Ig2的大小由电容容抗和电路阻抗及IGBT(VT1、VT2)的特性来决定。凡是IGBT电路,不管哪种驱动方式,栅极的驱动电流波形极为重要,什么波形为最好呢?好的栅极触发波形,不但是保护好IGBT,使之延长管子的使用寿命,更重要的降低电路电能损耗,提高电源效率

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图2-5 隔离式阻容驱动IGBT电路

IGBT输入栅极的脉冲信号,希望是矩形波,跟晶体管基极输入波形一样并且要求上升沿竖直,下降沿陡峭,要求存储时间ts越短越好。