首页 理论教育如何设计开关电源的吸收回路

如何设计开关电源的吸收回路

【摘要】:吸收回路如图1-38所示,它是利用电阻、电容和阻塞二极管组成的钳位电路,可有效地保护开关功率管不受损坏。剩磁释放完毕后,一次绕组N1的电压Vi为根据1.3.4节的计算,加在VT1上的电压峰值Vdsp≈495.74V。又设吸收回路工作周期T=10μs,一次绕组电感LP=0.85mH,则吸收回路的电阻R3为时间常数R3C6比周期T大得多,一般取5倍左右。

吸收回路如图1-38所示,它是利用电阻、电容和阻塞二极管组成的钳位电路,可有效地保护开关功率管不受损坏。VT1导通时,变压器TR1磁通量增大,这时便将电能积蓄起来。VT1截止时,便将积蓄的电能释放,变压器一次绕组中便有剩磁产生,并通过VD5反馈到二次侧。剩磁释放完毕后,一次绕组N1的电压Vi(min)

978-7-111-49915-2-Chapter01-121.jpg

根据1.3.4节的计算,加在VT1上的电压峰值Vdsp≈495.74V。又设吸收回路工作周期T=10μs,一次绕组电感LP=0.85mH,则吸收回路的电阻R3

978-7-111-49915-2-Chapter01-122.jpg

时间常数R3C6比周期T大得多,一般取5倍左右。

978-7-111-49915-2-Chapter01-123.jpg

图1-39 开关功率管电压峰值波形

978-7-111-49915-2-Chapter01-124.jpg

图1-40 开关功率管的电压和电流波形

978-7-111-49915-2-Chapter01-125.jpg,取0.06μF

用开关管MOSFET上的峰值电压(Vdsp)减去图1-38中R3两端的电压VR3,就是阻塞二极管VD5所承受的电压。

978-7-111-49915-2-Chapter01-126.jpg

式中,VS是高频变压器的二次电压,设VS=13.3V;n是该变压器的电压比,n=7/64≈0.109。

978-7-111-49915-2-Chapter01-127.jpg

所以,VD5所承受的电压为Vdsp-VR3=495.74V-183V=312.74V,选用耐压值为400V以上、电流值在0.8A以上的高快速恢复二极管UF4004。