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1.计算峰值电流IPP
IPP=Ids/Dmin=0.59A/0.419=1.41A
2.计算峰值电压Vdsp
通过计算,每只整流二极管所承受的电流为最大电流一半的3倍,所承受的电压为峰值电压一半的2倍,即IV。根据计算选用二极管1N5407,它的最高反向工作电压VRM为800V,额定整流电流ID为3A,完全满足上例整流电路的要求。又根据所计算出的峰值电压和峰值电流选用IRF820,它的漏源反向击穿电压V(BR)DS和最大漏极电流IDmax也符合上面所计算出的参量要求。选用时请参考表2-5的技术参数。
图1-38 吸收回路
3.开关功率管消耗功率的计算
开关功率管是开关电源的重要部件,是关系到电源损耗、功率效率的关键器件。以图1-38为例计算开关功率管的主要参数。这些参数既不是选用的开关管反向耐压越大越好,也不是放大倍数越高越好用,而是综合电路参数及其承受的应力应平衡。
图1-39所示,峰值电压为浪涌电压、吸收电压VR3、输入最大直流电压Vi(max)之和。开关功率管所消耗的总功率PQ1为
按图1-40分别计算开关管在导通时起点和终点的电流Ids1、Ids2。
式中,ΔIL为电流在扼流圈上的波动值,按10%进行计算。
t1、t2、t3、t4的值如图1-40所示。t1+t2+t3=ton(max),t4=toff,t3为开关管的存储时间。
开关功率管MOSFET的PN结温度Tj越高,导通电阻Rds越大,功耗也越大。当Tj超过100℃时,Rds是产品目录给出值的1.5~2倍。所以,开关功率管的损耗主要是由于Rds而产生的。这时有必要加ton进行计算,也就是在Vi(min)时采用ton(min)进行计算。这里VT1采用IRF734,查技术参数表可知ton=0.04μs,toff=0.10μs,ton(max)=2.0μs。根据图1-40,t2=(2.0-0.04-0.10)μs=1.86μs。由上面公式求得
仔细分析,开关功率管有四类损耗:
1)开门损耗:PCON=I2sRDS(on)D
2)开通损耗:
3)关断损耗:
4)驱动损耗:PGD=CissU2i·fs式中,Is为正向电流有效值;RDS(on)为MOS导通电阻;fs为开关工作频率;Ciss为输入电容;Coss为输出电容;UDS为MOS管漏-源极压降;Ui为输入电压;Ton为MOS管导通时间周期。
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