首页 理论教育峰值电压钳位吸收电路优化方案

峰值电压钳位吸收电路优化方案

【摘要】:为此,必须增设峰值电压钳位吸收电路,保护开关管正常工作。图1-14所示是五种峰值电压钳位吸收电路。要选用反向峰值电压高一些的阻塞二极管,否则VD将会烧毁。利用三只二极管、两只电容和一个电感组成峰值电压吸收网络。它的功能齐全,对峰值电压钳位吸收效果比较好,而且对所产生的高频率有一定的屏蔽作用,但使用的元器件多,结构较为复杂。

开关电源的驱动MOSFET与高频变压器的一次绕组在功率转换驱动过程中,由于一次绕组的漏感与开关管关断时的峰值电流,引起漏极电压突然升高,它与一次绕组漏感一起,形成强烈的电磁振荡,振荡波不但发射高频电磁波,还消耗了大量的电源能量,重则可使MOSFET瞬间爆炸,而对这种恶劣的环境,削减峰值电压的产生和抑制高频发射,对开关电源的品质效益极为重要。为此,必须增设峰值电压钳位吸收电路,保护开关管正常工作。图1-14所示是五种峰值电压钳位吸收电路。

978-7-111-49915-2-Chapter01-55.jpg

图1-14 峰值电压钳位吸收电路

电阻R1R2和电容C组成的RCR吸收网络,利用电容的充放电功能及电阻的阻尼作用,把部分高能量的电压通过开关管的漏-源旁路掉,又通过电容C的放电,分流一些峰值电能,达到钳位吸收峰压的目的,图1-14a所示电路很经济但效果不很好。

将电阻R和电容C并联后再与阻塞二极管VD串联组成图1-14b所示的CRD钳位吸收电路。它的工作原理与上面一样,只是阻塞二极管对峰值电压的限制作用大一些。要选用反向峰值电压高一些的阻塞二极管,否则VD将会烧毁。

利用瞬态电压抑制器TVS(P6KE200)和阻塞二极管(超快速恢复二极管)及电阻、电容所组成的CRSD钳位吸收电路,如图1-14c、d所示,峰值电压通过稳压二极管(TVS),向电阻R及电容C泄放,将电压钳制在合理的设计值以内。阻塞二极管VD把高频变压器一次绕组漏感通过开关管D-S的极间电容旁路至大地,它是开关电源普遍应用的一种电路。

3DLC钳位吸收电路如图1-14e所示。利用三只二极管、两只电容和一个电感组成峰值电压吸收网络。它的功能齐全,对峰值电压钳位吸收效果比较好,而且对所产生的高频率有一定的屏蔽作用,但使用的元器件多,结构较为复杂。