典型RAM芯片介绍

2023-06-24 理论教育版权反馈

【摘要】：水平放置的MFD顶部有7个PDP，两侧各有6个PDP；竖直放置的地图显示器顶部有6个PDP，两侧各有10个PDP。所有的MFD都采用触摸屏，也可以通过光笔、键盘、手柄上的拇指光标控制器进行交互。车长主要通过MFD完成任务，也可通过字母/数字键盘、可编程显示按钮、拇指光标控制器和4个方向按键与坦克进行交互。

1）典型SRAM芯片

常用的SRAM芯片有2114（1K×4）、6116（2K×8）、6232（4K×8）、6264（8K×8）和62256（32K×8）等。下面以Intel 6116为例介绍SRAM芯片的工作方式。图7.17（a）、（b）为Intel 6116的引脚排列和内部结构框图，表7.6为各引脚功能，表7.7为工作方式情况。

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图7.17　Intel 6116

表7.6　Intel 6116引脚功能

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表7.7　Intel 6116工作方式情况

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6232、6264、62256等为28脚封装、引脚排列如图7.18所示。

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图7.18　6232、6264和62256的引脚排列

目前各种PC系列微机和工作站普遍采用SRAM芯片组成CPU外部高速缓冲存储器（Cache）。一般单片机开发系统和单板机系统多采用SRAM构成存储器RAM的子系列。

2）典型DRAM芯片介绍

目前PC系列微机和工作站普遍采用DRAM组成内存。DRAM芯片集成度高、功耗低、存储量大，例如Intel 416160的存储容量有1M×16。常用DRAM芯片有Intel 2116（16K×1）、Intel 2164（64K×1）、μPD 424256（256K×4）等。以Intel 2116为例，它是一种单管存储单元DRAM，其16K×1个存储单元排列成128×128的矩阵，图7.19（a）、（b）为Intel 2116的引脚排列和内部结构框图，表7.8为各引脚功能。

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图7.19　Intel 2116

表7.8　Intel 2116引脚功能

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Intel 2116有两个地址锁存器：行地址锁存器和列地址锁存器，所以，芯片用了7根地址线（A0～A6）分两次将14位地址按行、列分两部分分别引入芯片，在行地址选通信号和列地址选通信号依次为有效电平时分别输入行地址锁存器和列地址锁存器。7位行地址经过译码，产生128条行选择线；7位列地址经过译码，产生128条列选择线。7位行地址也用作刷新地址，实现一行一行的刷新。

当某一行被选中时，这一行的128个存储单元的内容都被选通送到列放大器，并被其刷新。而列译码器只选通128个放大器中的一个，在定时控制发生器及写信号锁存器的控制下，送至I/O电路。

数据输入端Din和数据输出端Dout在芯片内部有自己的锁存器。另外，行地址选通信号兼作片选信号，在整个读、写期间均处于有效状态用于控制读/写操作，当时，为写操作；当时，为读操作。

典型RAM芯片介绍

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