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2023-06-22
前面曾经指出,原子中存在着一个个离散的能级,电子只能存在于这些离散的能级之上。而半导体材料是一种单晶体。在晶体中,大量的原子有秩序、周期性地排列在一起,相邻的原子靠得非常紧密,不同的原子能级互相重叠变成了能带的形式,如图3-53所示。
对于半导体,其内部自由运动的电子(简称自由电子)所填充的能带称为导带。价电子所填充的能带称为价带。导带和价带之间不允许电子填充,所以称为禁带,其宽度称为禁带宽度,用gE表示,单位为电子伏特(eV),如图3-54所示。
图3-53 晶体中的能带
在半导体中,导带与价带之间的电子跃迁也分为受激吸收、受激辐射和自发辐射三种。若价带上的电子得到能量就会跃迁到导带,同时在价带上留下一个空穴;反之,导带上的电子也可以自发地或受激跃迁到价带,与价带上的空穴复合。复合时,辐射出一个能量为gE、频率为g/fEh=的光子,如图3-54所示。
图3-54 半导体的能带结构
如图3-55所示,光敏电阻又称为光导管。光敏电阻几乎都是用半导体材料制成,其结构较简单。在玻璃底板上均匀地涂上薄薄的一层半导体物质,半导体的两端装上金属电极,使电极与半导体层可靠地电接触,然后,将它们压入塑料封装体内。为了防止周围介质的污染,在半导体光敏层上覆盖一层漆膜,漆膜成分的选择应该使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。
光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。当无光照时,光敏电阻具有很高的阻值。当有一定波长范围的光照射时,光子的能量大于材料的禁带宽度,禁带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带,激发出可以导电的电子-空穴对,使电阻降低。光线越强,激发出的电子-空穴对越多,电阻值越低。光照停止后,自由电子与空穴复合,导电性能下降,电阻恢复原值。
光敏电阻接线电路如图3-56所示,如果把光敏电阻连接到外电路中,在外加电压的作用下,用光照射就能改变电路中电流的大小。光敏电阻在受到光的照射时,由于内光电效应使其导电性能增强,电阻Rg值下降,所以流过负载电阻R L的电流及其两端的电压也随之变化。
图3-55 光敏电阻的结构
图3-56 光敏电阻接线电路
2.光敏晶体管
光敏二极管、光敏三极管、光敏晶闸管等统称为光敏晶体管,它们的工作原理是基于内光电效应。如图3-57所示,光敏二极管的结构与一般二极管相似,装在透明的玻璃外壳中,其PN结装在管的顶部,可以直接受到光的照射。
光敏二极管在电路中一般处于反向工作状态。如图3-58所示,当没有光照射时,反向电阻很大,反向电流很小,这个反向电流称为暗电流。当光线照射在PN结上,光子打在PN结附近,使PN结附近产生光生电子和光生空穴对,它们在PN结处的内电场作用下做定向移动,形成光电流。光的照度越大,光电流越大。光敏二极管在不受光照射时处于截止状态,受光照射时处于导通状态。
图3-57 光敏二极管
图3-58 光敏二极管的接线图
光敏晶体管(光敏三极管)与一般晶体管相似,具有两个PN结,如图3-59(a)所示,但是其发射极做得很大,用来扩大光照面积。
光敏晶体管的接线如图3-59(b)所示,大多数光敏晶体管的基极无引出线,当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时,集电极就是反向偏压,当光照射在集电结时就会在结附近产生电子-空穴对,光生电子被拉到集电极,基区留下空穴,使基极与发射极间的电压升高,这样便会有大量的电子流向集电极,形成输出电流,其集电极电流为光电流的β倍,所以光敏晶体管具有放大作用。
光敏晶体管的光电灵敏度虽然比光敏二极管高得多,但在需要高增益或大电流输出的场合,需采用达林顿光敏管。图3-60是达林顿光敏管的等效电路,它是一个光敏晶体管与一个晶体管以共集电极方式连接的集成器件。由于增大了一级电流放大,所以输出电流能力大大增强,甚至不必经过进一步放大,便可直接驱动灵敏继电器。但无光照时的暗电流也会增加,因此适合于开关状态的光电转换。
图3-59 光敏晶体管结构简图与基本电路
图3-60 达林顿光敏管的等效电路
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