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2023-11-18
绝缘栅极型场效应晶体管：原理和应用
【摘要】：绝缘栅极型场效应晶体管也有N沟道型和P沟道型两种结构形式。除以上参数外，绝缘栅极型场效应晶体管还有通态电阻、输出电阻等参数。
绝缘栅极型场效应晶体管也有N沟道型和P沟道型两种结构形式。此外，按照其工作方式的不同，它又可分为增强型和耗尽型两种。
1.基本结构和图形符号
绝缘栅极型场效应晶体管是由金属（铝）、氧化物（SiO2）和半导体组成的，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应晶体管，简称MOS场效应晶体管。它的基本结构和图形符号如图1-35所示。
图1-35 绝缘栅极型场效应晶体管
2.工作原理
以N沟道增强型MOS场效应晶体管为例，当UGS小于某一电压时，无论漏极和源极之间是否施加电压，都不会产生漏极电流，此时相当于场效应晶体管处于关断状态；当UGS等于该电压值时，在正向漏-源电压UDS的作用下，漏极和源极之间施加正向电压后开始有漏极电流产生，此时的栅-源电压UGS称为开启电压；当UGS大于开启电压时，如果在漏极和源极之间施加正向电压，就会产生漏极电流，此时相当于场效应晶体管处于开启状态。
3.主要参数
（1）开启电压 在正向漏-源电压UDS的作用下，开始产生漏极电流时的栅-源电压UT称为开启电压。
（2）直流输入电阻RGS 在漏极与源极短路的条件下，栅极与源极间加一定电压时，栅极与源极间的直流电阻称为直流输入电阻，用RGS表示。
除以上参数外，绝缘栅极型场效应晶体管还有通态电阻、输出电阻等参数。
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