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场效应晶体管工作原理及特性分析

【摘要】:当栅-源电压UGS下降到某一数值UP时,N型导电沟道完全消失,场效应晶体管失去导电能力。当栅-源电压和漏-源电压之差等于某一数值时,场效应晶体管将处于截止状态,此时的栅-源电压称为夹断电压。场效应晶体管的输出特性曲线可以分成四个区域,它们分别对应四种工作状态,即可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区。

1.基本结构和图形符号

结型场效应晶体管有两种结构形式,即N型沟道(自由电子导电)结型场效应晶体管和P型沟道(空穴导电)结型场效应晶体管。每种结构形式都具有栅极、漏极和源极三个电极。以N沟道为例,它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P区,形成两个对称的PN结,将两个P区的引出线连接在一起作为一个电极,称为栅极(G),在N型硅片两端各引出一个电极,分别称为源极(S)和漏极(D),如图1-30所示。图中栅极箭头所示方向为两个PN结的正向导电方向。

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图1-30 场效应晶体管的结构和电路符号

2.工作原理

这里依然以N型沟道结型场效应晶体管为例,由于PN结中的载流子已经耗尽,也就是说PN结基本上不导电并形成耗尽区,场效应晶体管只能依靠N型沟道中的自由电子导电。

如图1-31所示,在漏极与源极两端施加负值电压UGS,使两个PN结均处于反偏状态,由于两个PN结交界面所形成的耗尽区均变厚,导致N型导电沟道变窄,于是场效应晶体管的导电能力就相应下降。当栅-源电压UGS下降到某一数值UP时,N型导电沟道完全消失,场效应晶体管失去导电能力。此时的栅-源电压值UP称为夹断电压。

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图1-31 N型沟道场效应晶体管的工作原理

3.基本特性

如图1-32所示,N型沟道场效应晶体管接成两个回路,即漏极回路和栅极回路,源极是两回路的公共端。对于两个PN结来说,它们两端所施加的栅-源电压UGS和漏-源电压UDS均为反向偏压。

(1)输出特性 在栅-源电压UGS一定的条件下,漏极电流ID和漏-源电压UDS之间的关系曲线称为输出特性,如图1-33所示。

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图1-32 N型沟道场效应晶体管特性测试电路

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图1-33 N型沟道场效应晶体管输出特性

当栅-源电压UGS=0时,N型沟道最宽,导电能力相对较强,漏极电流也相对较大。在漏-源电压UDS由0逐渐增大的过程中,短期内漏极电流ID会迅速增加,但由于导电沟道逐渐变窄,漏极电流ID会逐渐趋于稳定并达到饱和状态。如果漏-源电压UDS继续增加,则场效应晶体管也会发生击穿现象,这种击穿现象叫做雪崩击穿。

在栅-源电压UGS取不同数值的条件下,可以得到不同的输出特性曲线。而且,随着栅-源电压UGS绝对值的增加,漏极电流会逐渐减小。当栅-源电压和漏-源电压之差(UGS-UDS)等于某一数值时,场效应晶体管将处于截止状态,此时的栅-源电压称为夹断电压。

场效应晶体管的输出特性曲线可以分成四个区域,它们分别对应四种工作状态,即可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区。

1)可变电阻区。由于此区域UDS较小,对沟道影响不大,IDUDS基本呈线性关系,此时漏极与源极间可以看作是一个受UGS控制的可变电阻,因而称为可变电阻区。此区域管子可作为压控电阻使用。

2)恒流区。此区域ID基本不再随UDS的变化而变化,即ID趋于饱和,所以又称为饱和区。此区域管子作为线性放大器件工作在饱和区。

3)击穿区。当PN结上的反向偏压UGD增大到使PN结击穿时,ID急剧上升,曲线进入击穿区。管子击穿后就不能继续使用。

4)截止区。在此区域ID≈0,处于横坐标附近,图中没有标出。

(2)转移特性 在漏-源电压UDS一定的条件下,漏极电流ID和栅-源电压UGS之间的关系曲线称为转移特性,如图1-34所示。

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图1-34 N型沟道场效应晶体管转移特性

4.主要参数

(1)夹断电压UP 当栅-源电压为某一数值而漏极电流等于一微小电流时,栅极与源极间所加的电压称为夹断电压,用UP表示。

(2)饱和漏极电流IDSS 在栅-源电压为零的条件下,场效应晶体管发生预夹断时的漏极电流称为饱和漏极电流,用IDSS表示。

(3)直流输入电阻RGS 在漏极与源极短路的条件下,栅极与源极间加一定电压时,栅极与源极间的直流电阻称为直流输入电阻,用RGS表示。

(4)低频跨导gm 当漏-源电压为常数时,漏极电流的微小变化量与漏-源电压的微小变化量之比称为低频跨导,用gm表示。

(5)输出电阻rd 当栅-源电压为常数时,漏-源电压的微小变化量与漏极电流的微小变化量之比称为输出电阻,用rd表示。

(6)最大漏-源电压U(BR)DS 当场效应晶体管沟道发生雪崩击穿引起漏极电流急剧上升的漏-源电压称为最大漏-源电压,用U(BR)DS表示。

(7)最大栅-源电压U(BR)GS 当栅极与源极间的PN结发生反向击穿引起栅极电流由零急剧上升的栅-源电压称为最大栅-源电压,用U(BR)GS表示。