由电子管至晶体管是电子发展的一大飞跃。晶体管又称为三极管或晶体三极管，它的应用非常广泛，是电子电路中应用的主要器件之一。晶体管有3个引脚，其中E脚为发射极、B脚为基极、C脚为集电极。这些管3个引脚的排列规律是：把晶体管有型号的平面向上，3只引脚对着自己，左边的一只引脚为发射极“E”脚，右边的一只引脚为集电极“C”脚，中间的一只引脚为基极“B”脚。......
2023-06-25
晶体管的电流放大原理及条件
【摘要】：从以上分析看出：晶体管三个电极间的电流关系为Ie=Ic+Ib，且基极电流很小，即Ib《Ic，这就是晶体管的电流放大作用。晶体管之所以具有电流放大作用，其内部条件是基区必须做得很薄，掺杂浓度又较低，集电结面积大；外部条件是集电结反偏，发射结正偏。晶体管是一个电流控制器件，电流放大作用的实质是用一个微小电流控制较大电流，放大所需的能量来自外加直流电源。
在图1-17所示电路中，晶体管接成两个电路，即基极回路和集电极回路。发射极是两回路的公共端，这种接法称为共发射极接法。电源Eb接基区（P区）和发射区（N区），使发射结加上正向电压（称为正偏）。电源Ec接在集电极与发射极之间，Ec>Eb，它使集电结得到反向电压（称为反偏）。晶体管内部多数载流子运动的过程如图1-18所示。
图1-17 晶体管放大电路的电源接法
图1-18 晶体管内部载流运动示意图
由于发射结加的是正向电压，在外电场作用下削弱了内电场，也就相当于PN结变窄，发射区的多数载流子——电子，因浓度高而源源不断地越过PN结进入基区，形成发射极电流Ie。此时基区的多数载流子——空穴，在发射结正向电压作用下也会扩散到发射区，但由于基区的杂质浓度低，故这部分所形成的电流可以忽略不计。因此发射极电流主要是电子流。
2.电子在基区扩散与复合形成基极电流Ib
电子到达基区后，使基区中靠近发射结的电子增多，而靠近集电结的电子较少，形成浓度上的差异，因此继续向集电结扩散。在扩散过程中有少量电子与基区的空穴复合，同时基极电源Eb给基区补充空穴，形成基极电流Ib。由于基区很薄，且空穴浓度很低，所以Ib很小。
3.电子被集电极收集形成集电极电流Ic
绝大部分电子扩散到集电结的边缘，由于集电结加的是反向电压，外加电压大大加强了内电场，相当于PN结加宽，这就使集电区的多数载流子——电子不能向基区扩散，而从基区扩散到集电结边缘的电子在外电场的作用下很容易被集电极收集，形成集电极电流Ic。
从以上分析看出：晶体管三个电极间的电流关系为Ie=Ic+Ib，且基极电流很小，即Ib《Ic，这就是晶体管的电流放大作用。
晶体管之所以具有电流放大作用，其内部条件是基区必须做得很薄，掺杂浓度又较低，集电结面积大；外部条件是集电结反偏，发射结正偏。晶体管是一个电流控制器件，电流放大作用的实质是用一个微小电流控制较大电流，放大所需的能量来自外加直流电源。
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