首页理论教育荧光与电化学研究的探索

荧光与电化学研究的探索

2023-06-22 理论教育版权反馈

【摘要】：如图3.1.1所示，在Tris-HCl缓冲液中，铜配合物在330 nm处的荧光峰相对较弱（曲线a），随着dsDNA含量的增加，铜配合物的荧光强度逐渐增强，说明两者之间存在相互作用。另一方面，随着溶液中dsDNA浓度的增加，插入位点明显增加。利用CV法研究了铜配合物与dsDNA结合特性，其典型的循环伏安图如图3.1.2所示。峰间距为0.19 V，氧化还原峰电流比值为1.7，说明铜络合物的电化学行为是准可逆的。图7-78 W9—2×26离心风机外形及安装尺寸图图3.1.1[Cu2]与dsDNA的荧光谱图

通过荧光实验研究了[Cu（bpy）（MBZ）2（H2O）]与dsDNA的相互作用。如图3.1.1所示，在Tris-HCl缓冲液中，铜配合物在330 nm处的荧光峰相对较弱（曲线a），随着dsDNA含量的增加，铜配合物的荧光强度逐渐增强（曲线b ～ d），说明两者之间存在相互作用。此外，一方面，根据报道的“DNA分子开关”现象，这种增强效应可以归因于络合物中配位吡啶氮原子对水分子的保护作用，这进一步说明铜络合物通过插入模式与dsDNA结合[40]。另一方面，随着溶液中dsDNA浓度的增加，插入位点明显增加。因此，通过氢键和/或范德华力使[Cu（bpy）（MBZ）2（H2O）]二聚或低聚的可能性明显降低[41]。因此，更多的铜配合物可以有效的插入DNA内部的疏水环境中，从而在高浓度的dsDNA下产生更强烈的增色效应。

利用CV法研究了铜配合物与dsDNA结合特性，其典型的循环伏安图如图3.1.2所示。复合物呈现出一对良好的氧化还原峰（曲线a），其对应于Cu（II）/Cu（I）的电子转移过程[37]。峰间距为0.19 V，氧化还原峰电流比值（Ipc/Ipa）为1.7，说明铜络合物的电化学行为是准可逆的。与DNA相互作用后，氧化还原峰明显减少且式电位（E°）发生了正移（曲线b），这表明铜配合物与DNA通过原位插层模式相互作用[42]。

pagenumber_ebook=49,pagenumber_book=45

图3.1.1　[Cu（bpy）（MBZ）2（H2O）]与dsDNA的荧光谱图