图2.17活性射流成形过程中温度分布数值模拟结果活性药型罩顶部轴线处微元温度随时间的变化如图2.18所示。图2.20活性药型罩底部微元温度随时间的变化从机理上分析，在爆炸驱动作用下，活性药型罩材料温升需要一定时间才能导致活性材料聚合物基体发生分解，释放足够多氧化剂后，活性金属粉体才能与氧化剂发生剧烈的化学反应。......
2025-09-29
二极管的伏安特性及其受温度影响的研究
【摘要】：二极管的伏安特性是指二极管的外加电压与流过的电流之间的关系。当二极管外加反向电压小于UBR时,反向电流很小,并且反向电压超过零点几伏之后,反向电流基本保持不变,这个电流称为反向饱和电流,用符号IR表示,该特性称为反向截止特性。图7.2.3硅二极管的伏安特性图4-48 充注制冷剂前的排气操作充注制冷剂R134a排气操作完成后，将电冰箱通电运行。图7.2.4温度对二极管特性的影响温度对二极管特性的影响温度对二极管特性的影响如图7.2.4所示。
二极管的伏安特性是指二极管的外加电压与流过的电流之间的关系。伏安特性如图7.2.3所示。二极管的伏安特性是研究二极管电路作用的基本关系。
(1)二极管的正向特性
二极管的正向特性分为死区和导通区。死区的特性是二极管两端正向电压不为零,但电流为零。硅管的死区电压约为0.5 V,锗管的死区电压约为0.1 V。死区电压(或阈值电压)是死区结束点对应的电压。当二极管两端的电压超过阈值电压后,正向电流随着外加电压的升高而迅速增大的区域为导通区。在近似计算中,二极管正向导通电压硅管可取0.7 V,锗管可取0.2 V。
(2)二极管的反向特性
二极管的反向特性分为反向截止区和反向击穿区。当二极管外加反向电压小于UBR时,反向电流很小,并且反向电压超过零点几伏之后,反向电流基本保持不变,这个电流称为反向饱和电流,用符号IR表示,该特性称为反向截止特性。当外加的反向电压升高到超过UBR以后,反向电流会突然剧增,这种特性称为二极管反向击穿特性,UBR称为反向击穿电压。
图7.2.3 硅二极管的伏安特性(https://www.chuimin.cn)
图7.2.4 温度对二极管特性的影响
(3)温度对二极管特性的影响
温度对二极管特性的影响如图7.2.4所示。当温度升高时,正向特性曲线左移,反向特性曲线下移;当温度下降时,情况与上述相反。
(4)二极管的近似特性和理想特性
在二极管应用电路中,常将其特性进行近似或理想化处理。理想二极管的伏安特性为:当二极管外加正向电压时,二极管导通,正向压降为零,二极管相当于短路;当二极管外加反向电压时,反向电流为零,二极管相当于开路。
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