随着纳米科技的日益发展,纳米测量技术在纳米加工、纳米操控、纳米材料等领域的作用越来越重要。而纳米测量对精密制造技术也提出了更高的要求,这是因为计量测试精度越高,产品的性能就越好。同时,在长度测量领域,为了适应于纳米科技的发展,也需要开发有关纳米级精度的长度测量技术。因此在本章中,将简单介绍纳米级精度的定位和测量技术,并介绍两种纳米薄膜厚度测量仪器——台阶仪和椭圆偏振仪。......
2023-06-20
作为一类重要的纳米材料,二维薄膜纳米材料或纳米涂层材料得到了极快的发展和应用,如超高存储密度的纳米信息存储薄膜;磁化强度不同于常规材料的纳米磁性多层膜;半导体超晶格和量子阱多层膜等等。对于薄膜和涂层材料来说,一个重要的指标就是薄膜的厚度。目前已知的薄膜厚度测量方法有表面台阶仪法、称重法、石英振荡法、X射线小角散射法和显微镜法等非光学方法,以及椭圆偏振法、干涉法、分光光度法、光电极值法和比色法等光学方法。但当薄膜厚度减小到纳米尺度时,上述多种方法都会出现不同程度的局限性。一个显著的例子就是:当薄膜厚度减小到纳米尺度时,相同面积的薄膜质量会大大降低,采用称重法测量厚度时,称重时的微小误差就导致厚度的极大变化。所以,对于纳米级的薄膜材料,最直观的测量方法是采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其截面进行观察,或用原子力显微镜测量薄膜材料在基底上的台阶高度,以得到精确的薄膜厚度。但利用各种显微镜测量膜厚时都需要费时、费力地制作截面或台阶的样品。而在实际的实验过程中,仍然需要采用便捷、快速的方法得到其厚度,以便调整制备工艺或参数。在上述薄膜厚度的测量方法中,用于纳米尺度薄膜厚度测量的主要有表面台阶仪法和椭圆偏振法。在以往的微电子技术领域,各种组分薄膜的厚度测量主要是利用台阶仪来实现的,该方法简单、快速、直接,所以在纳米薄膜材料中仍起至关重要的作用。
图2-2 Nanosurf型台阶仪的实物图
台阶仪又称接触式表面轮廓仪,是一种最常见的薄膜厚度和表面粗糙度的测量仪器。目前最常用的主要是英国Taylor Hobson公司的Talysurf和Nanosurf等系列台阶仪,台阶仪的实物(如图2-2所示)。1929年,德国的G.Schmaltz最先对表面微观不平整度的参数进行了定量测量,随后出现了一些基于机械和光学方法实现信号转换的表面特征记录仪器。1936年,美国的E.J.Abbott成功研制了第一台车间用的测量材料表面台阶高度(即样品厚度)和表面粗糙度的轮廓仪。1940年,英国的Taylor Hobson公司研制成功了表面台阶测量仪Talysurf。至此,轮廓仪进入了表面特征测量领域,并迅速占据了主要位置。到目前为止,轮廓仪仍是最常用、最可靠的表面台阶高度(即样品厚度)和表面粗糙度的测量仪器。
有关纳米材料与结构测试方法的文章
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2023-06-20
纳米材料中有一类重要的存在形式——薄膜纳米材料。对于这类材料,X射线衍射除了可以对其进行物相分析和晶粒尺寸的研究外,还可测定薄膜的厚度。Anderson和Thomson成功地利用这种方法测定了Ni和ZrO2膜的厚度。这种方法能用于非晶和晶体样品,但要求整个研究范围内的薄膜厚度均一。......
2023-06-20
目前的激光粒度仪多以500~700 nm波长的激光作为光源。激光粒度分析仪是应用颗粒对光的散射或衍射现象设计制造来测定颗粒大小的仪器,可分为激光衍射法和动态光散射法。但由于激光粒度仪具有样品用量少、自动化程度高、快速、重复性好及非接触式测量,已经得到了广泛的应用。散射光的信号经接收器接收后以数字形式进入相关器单元,而计算单元用于控制测量、储存处理信号和计算结果。图3-61DLS仪器的结构......
2023-06-20
图6-19为一个商品化的纳米压痕仪及其工作原理。目前,各种商业应用的纳米压痕仪原理基本相同,它们的差别主要表现在力的加载方式和位移的测量方式上。图6-19压痕仪的结构及内部结构根据前面的介绍,目前的纳米压痕仪的工作模式有两种:普通模式和连续刚性测量模式。压头在纳米压痕仪中是一个重要的部件,测试时需要选择合适的压头。是纳米压痕试验另一个常用的压头。球形压头的初始接触应力小,仅产生弹性变形。......
2023-06-20
台阶仪的构造和工作原理如图2-3所示。台阶仪属于接触式表面形貌测量仪器,它主要由触针、触针驱动装置和位置记录装置构成。图2-3台阶仪的构造和原理图触针是接触式台阶仪的关键部件,一般为针状的金刚石或宝石。由于接触式台阶仪是通过触针扫描来测量表面形貌信息的,所以触针的形状、尺寸和测量力对测量结果的影响较大。台阶仪测量过程如下。......
2023-06-20
烧杯常用GG17料、95料及其他硬质料制造。三角烧瓶也称为锥形瓶,加热时可避免液体大量蒸发,反应时便于摇动,在滴定操作中经常用它作为容器。有蒸馏烧瓶、分馏烧瓶和刺形分馏烧瓶。蒸馏较易挥发的物质时,应选用支管位置较高的蒸馏烧瓶;蒸馏沸点较高的物质时,应选取支管位置较低的蒸馏烧瓶。连接蒸馏烧瓶与冷凝器时,穿过胶塞的支管伸入冷凝器内部分不应少于4~5cm。......
2023-10-28
接下来,Cu的220、311、331和420对应的衍射峰,以及Sn的400、231、420、411、440、123、303、233和143对应的衍射峰均用于推断。实验中发现,在室温下退火时,Cu/Cu6 Sn5/Sn三层膜结构中残余Cu膜处于拉应力状态,而残余Sn膜处于压应力状态。与膜表面平行的方向上Cu膜应变约为±0.06%,不确定性为±50%。表3.3室温下退火后Cu和Sn的晶格参数的推测值......
2023-06-20
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