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选择晶体管电子继电器的参数技巧

2023-06-20 理论教育版权反馈

【摘要】：几种常用晶体管电子继电器原理电路如图2-67所示。K闭合，三极管VT导通，继电器KA吸合；K断开，VT截止，KA释放。电子继电器元件的选择及计算如下：图2-67晶体管电子继电器原理电路无外加偏压的电路；外加反向偏压的电路继电器KA的选择：继电器KA可用直流电阻R为几百欧到几千欧，吸合电流IH为几到几十毫安的小型继电器，如JR型、JRX型、JQ型和JQX型等。Rb值取得略小，能使管子得到充分饱和，但将使开关速度有所下降。

几种常用晶体管电子继电器原理电路如图2-67所示。图中触点K代表发信元件的触点。K闭合，三极管VT导通，继电器KA吸合；K断开，VT截止，KA释放。为了防止误动作，VT的基极可外加正偏压（对PNP管）或负偏压（对NPN管）。电子继电器元件的选择及计算如下：

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图2-67　晶体管电子继电器原理电路

（a）无外加偏压的电路；（b）外加反向偏压的电路

（1）继电器KA的选择：继电器KA可用直流电阻R为几百欧到几千欧，吸合电流IH为几到几十毫安的小型继电器，如JR型、JRX型、JQ型和JQX型等。

（2）电源电压Ec选择：Ec≥UH＝IHR。

（3）三极管VT选择：VT一般采用小功率锗管或硅管。要求集电极最大允许电流ICM＞IH；集-射极反向击穿电压（基极与发射极间有并联电阻时）BVceR＞Ec。

（4）二极管VD1选择：VD1为保护三极管用，要求其最高反向工作电压VR＞Ec；额定正向电流IF≥Izmax（Izmax为最大负载电流）。

（5）二极管VD2选择：VD2为保护三极管VT用，要求其额定电流IF＞Eb/Ra。

（6）电阻Ra的选择：①对于图2-67（a），对低频小功率锗管取几百欧到几千欧。Ra小些，管子截止更可靠，但损耗大。当Ra≈1kΩ时，BVceR≈1.5BVceo（BVceo为集-射极反向击穿电压）。②对于图2-67（b），为使管子可靠截止，BVcbo不小于0.3V，即要求

式中 Eb——基极电压，一般取6V；

　　 Icbo——集电极反向饱和电流（A），取最高可能环境温度下的数值。

（7）电阻Rb的选择：①对于图3-67（a），为使管子饱和，要求，即Rb≤βRH（RH为继电器吸合时的线圈电阻）。②对于图3-67（b），可按下列公式计算Rb

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由于管子性能有差异，偏置电阻Rb尚需实际调整。Rb值取得略小，能使管子得到充分饱和，但将使开关速度有所下降。