记忆电路在晶体管继电保护电路中广泛应用。前记忆电路属于瞬时动作、延时复归电路。图2-54放电式前记忆电路工作原理：正常时，无信号输入，三极管VT1无基极电流而截止。此时二极管VD截止，电容C1两端无电压。......
2023-06-20
如何制作后记忆电路-工作原理详解
【摘要】：后记忆电路也属瞬时动作、延时复归电路。同时电容C2经VD、VT1快速充电，C2两端电压随之增大，直到接近电源电压。电路的这一状态在输入信号持续期间一直保持着。图2-57充电式后记忆电路工作原理：正常时，无信号输入，三极管VT1截止，三极管VT2由电阻R2、稳压管VS得到基极电流而导通，输出Usc为零电位。
后记忆电路也属瞬时动作、延时复归电路。当输入信号一到即动作，输入信号消失时开始计时，经过整定时间，电路才返回原来状态。
1.放电式后记忆电路
电路如图2-56所示。
图2-56 放电式后记忆电路
工作原理：正常时，无信号输入，三极管VT1无基极电流而截止，三极管VT2由电阻R3、稳压管VS供给基极电流而导通，其集电极为低电位，输出Usc为零电位。此时电容C2两端电压就是电阻R3上的压降，数值很小。因此M点与公共线（OV）之间的电压低于电源电压。
当有Usr＞0的脉冲信号电压时，VT1得到基极电流立即导通，其集电极电位降至接近零伏。因而二极管VD导通，M点电位也相应降低到接近零伏，所以稳压管VS截止，三极管VT2基极反向偏置而截止，其集电极为高电位，输出Usc为高电位。同时电容C2经VD、VT1快速充电，C2两端电压随之增大，直到接近电源电压。电路的这一状态在输入信号持续期间一直保持着。
当输入信号消失后，三极管VT1截止，其集电极电位升高，由于电容C2两端电压不能突变，所以M点电位仍很低，二极管VD截止。稳压管VS和三极管VT2继续维持截止。此后，随着C2对R3放电，C2两端的电压逐渐减小，M点电位逐渐升高。当M点电位升高到使VS击穿时，M点电压便被VS的稳压值限定，同时电源经R3向VS供给稳压工作电流。三极管VT2也因此得到基极电流而导通，输出Usc返回到零电位。
后记忆时间t
2.充电式后记忆电路
电路如图2-57所示。
图2-57 充电式后记忆电路
工作原理：正常时，无信号输入，三极管VT1截止，三极管VT2由电阻R2、稳压管VS得到基极电流而导通，输出Usc为零电位。此时电容C1上的M点电位接近于稳压管VS的稳压值。
当有Usr＞0脉冲信号电压时，VT1导通，其集电极电位降至接近于零伏，三极管VT2基极得到反向偏置电压而截止，其集电极电位升到电源电压，输出Usc为高电位。电容C1通过导通的VT1快速放电。电路的这一状态在输入信号维持存在时间一直保持不变。
当输入信号消失后，VT1截止，其集电极电位升高，由于电容C1两端电压不能突变，只能按充电指数曲线上升。当M点电位上升到使稳压管VS击穿时，M点电位便被VS的稳压值限定，同时电源经R2向VS供给稳压工作电流。三极管VT2也因此得到基极电流而导通，输出Usc返回到零电位。
后记忆时间t
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