单结晶体管触发电路简单易调，脉冲前沿陡，抗干扰能力强。当单结晶体管弛张振荡器经一级三极管功率放大后，便可触发500A的晶闸管。单结晶体管触发电路如图1-46所示；单结晶体管发射极特性曲线如图1-47所示。VS的稳压值Vz会影响输出脉冲的幅值和单结晶体管正常工作。表1-17BT33单结晶体管参数2.单结晶体管触发电路之一电路如图1-48所示。......
2023-06-20
三种常用的晶体管延时电路设计
【摘要】：以下三种基本电路均为延时工作，瞬时复归电路。延时时间t可按下式计算图2-43普通晶体管延时电路2.桥型延时电路工作原理：当Usr为低电位时，三极管VT导通，输出Usc为低电位。当Usr又变为低电位时，二极管VD5立即使Usc瞬时变为低电位。同时输入高电位也经VD1、R1、三极管VT1基-射极和R7入地，使VT1基极电位高于射极耦合触发器的翻转电压Uf，三极管VT1导通，VT2截止，输出Usc为高电位。
以下三种基本电路均为延时工作，瞬时复归电路。
1.普通晶体管延时电路（图2-43）
工作原理：当输入Usr为高电位时，二极管VD1截止，电源Ec经电阻R1、R2向电容C充电，电容两端电压Uc由零逐渐上升，当Uc达到一定值Uφ时，三极管VT导通，输出Usc为低电位。当Usr为低电位时，电容C便分别经二极管VD2、VD1和R3、VT的基-射极入地放电。放电时间极短，可以忽略不计。
延时时间t（电容C两端的电压由零到达Uφ时的这段时间）可按下式计算
图2-43 普通晶体管延时电路
2.桥型延时电路（图2-44）
工作原理：当Usr为低电位时，三极管VT导通，输出Usc为低电位。当Usr为高电位时，电源Ec经电阻R1和VT的基-射极对电容C充电，充电电流使VT导通，故二极管VD4导通，输出仍为低电位。当电容C两端电压逐渐升高，使M点电位高于N点电位时，二极管VD2导通，电容充电立即停止，三极管VT截止，VD4截止，输出Usc为高电位。当Usr又变为低电位时，二极管VD5立即使Usc瞬时变为低电位。
图2-44 桥型延时电路
延时时间t（VT导通时间即为该电路在输入高电位时的延时时间）可按下式计算
3.带射极耦合触发器的延时电路（图2-45）
图2-45 带射极耦合触发器延时电路
工作原理：当Usr为高电位时，其电位经二极管VD1、VD2对电容C充电。充电时间很短，可忽略不计。因VD2的箝位作用，N点电位约为＋1V，当电容充电完毕，M点电位接近输入电位。同时输入高电位也经VD1、R1、三极管VT1基-射极和R7入地，使VT1基极电位高于射极耦合触发器的翻转电压Uf，三极管VT1导通，VT2截止，输出Usc为高电位。
当Usr变为低电位时，电容C沿C＋、R1、VT1基-射极、R7、地、Ec、R3和C－，使VT1继续导通，VT2截止。当P点放电电压低于Uf时，VT1截止，VT2导通，输出Usc为低电位。
延时时间t（当输入端变为低电位瞬时至射极耦合触发器翻回的时间，就是电路在输入变低电位时的延时时间）可按下式计算
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