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倒装芯片焊料接头的热迁移和直流电迁移问题分析

【摘要】:直流电迁移中存在着极化效应。然而我们需要考虑的是电迁移过程中热迁移的贡献。当电迁移产生的焦耳热在焊料接头上引起了1 000℃/cm的温度梯度时就会出现热迁移。若假设硅芯片侧的温度较高,热迁移就会驱使主要扩散元素向下运动,其方向与下移电子引起的电迁移相同,因此电迁移和热迁移效应会累加。然而在右侧的凸点中,电迁移会使原子向与热迁移相反的方向运动,即这两种迁移效果互相抵消。

直流电迁移中存在着极化效应。当一列菊花链型凸点进行直流电迁移时,在相间的凸点上的硅侧阴极的界面处会产生孔洞,因此很容易辨别直流电迁移。然而我们需要考虑的是电迁移过程中热迁移的贡献。当电迁移产生的焦耳热在焊料接头上引起了1 000℃/cm的温度梯度时就会出现热迁移。

若假设硅芯片侧(即图12.3中所示的上端)的温度较高,热迁移就会驱使主要扩散元素向下运动,其方向与下移电子引起的电迁移相同,因此电迁移和热迁移效应会累加。考虑图12.3(a)中所示的左侧的一对凸点,假设左边凸点中的电子向下流动,电迁移和热迁移都会使空位向硅侧接触区移动并在其附近产生孔洞。然而在右侧的凸点中,电迁移会使原子向与热迁移相反的方向运动,即这两种迁移效果互相抵消。既然我们可从一对凸点中得到两种不同的结果,就可以将电迁移和热迁移的效果分离开来。若使用纯锡倒装芯片样品,单一组分的扩散问题则十分简单,可用标记的方法来测定净通量。如果所用凸点是锡铅共晶或者铅铟固溶体之类的二元组分,问题就会变得复杂。除了要考虑标记的运动外,还需要测量锡和铅(或铅和铟)通量引起的浓度变化。由于组分偏析的随机效应,共晶锡铅焊料的分析甚至要比铅铟固溶体更加复杂。