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近理想化的倒装焊点设计优化

【摘要】:假设我们在倒装焊时必须使用焊料,那么我们怎样才能设计一种焊点使其可以最大限度地抵抗电迁移和其他的可靠性问题的影响呢?这可以通过改良倒装焊点的结构设计和材料使用来实现。影响焦耳热产生的最重要的因素是焊点上面的铝或铜互连。因此,铜柱焊点与高铅钎料同时使用的组合效果对于理想化焊点的设计是很具有吸引力的。虽然电迁移在金属间化合物中会比较缓慢,但我们仍应该进一步研究金属间化合物焊点的力学性能。

假设我们在倒装焊时必须使用焊料,那么我们怎样才能设计一种焊点使其可以最大限度地抵抗电迁移和其他的可靠性问题的影响呢?为了让焊点提高抗电迁移的可靠性,我们必须降低电流集聚效应。这可以通过改良倒装焊点的结构设计和材料使用来实现。由于电流分布的基本原则是电流将选择从最小电阻路径通过,因此在设计倒装芯片时我们有以下手段来降低电流集聚效应。使用有限元分析,倒装芯片焊点中的电流分布可以看作由几何参数与焊点相关的所有导电单元的电阻值所确定的函数。所述导电单元包括铝或铜的互连,UBM层和焊料凸点本身。影响电流分布的最重要的因素是UBM层的厚度及其电阻值。影响焦耳热产生的最重要的因素是焊点上面的铝或铜互连。我们将在本章最后一节中阐述铜柱焊点在电流分布设计中所具有的优势。然而,铜柱凸点导致厚Cu3 Sn的生长并伴随着柯肯达尔孔洞的形成。我们需要阻止Cu3Sn的生长,这可以通过使用含锡量很少的高铅焊料来实现。因此,铜柱焊点与高铅钎料同时使用的组合效果对于理想化焊点的设计是很具有吸引力的。

在所有焊点中,高铅或C-4焊点具有最好的抗电迁移特性。虽然高铅焊料的会在铜与焊料的界面处形成Cu3 Sn,但如果没有锡在焊料中,Cu3 Sn不会生长或发生相变,因此也没有柯肯达尔孔洞的形成。如果焊点中高铅部分的厚度约为10μm,该长度为电迁移与背应力所平衡的临界长度,则在该长度之下不会有电迁移损伤。因此,如果我们要设计一个倒装芯片焊点,由铜柱/Cu3 Sn/高铅焊料/Cu3Sn/铜柱组成。我们认为其中的高铅焊料层中的锡会全部在Cu3Sn的形成中耗尽,而得到一层纯铅。如果中间这一层纯铅的厚度在电迁移临界长度以下,那么从抵抗电迁移的角度来看,它就很有可能是最好的焊点了。另外,虽然高铅可能会沿着铜柱的侧表面攀移上升,但是回流反应所形成的Cu3 Sn不会造成任何损伤或产生柯肯达尔孔洞。真正的挑战是,由于高铅材料有着高的回流温度,因此必须使用陶瓷基板。

由于高铅焊料的熔点高,我们不能在高分子聚合物基板上使用它。所以我们需要使用一种复合材料焊料,由铜柱一侧的高铅焊料和高分子聚合物基板一侧的锡铅共晶焊料(或无铅共晶焊料)组成。然而如9.5节所讲的一样,电迁移会驱使锡由共晶焊料移向阴极并且转化为Cu3 Sn和Cu6 Sn5,即使在10μm厚的铜质UBM层的情况下,最终失效也会发生。然而,对于铜柱而言,需要消耗所有的铜的时间可能会很长,或铜不会被完全消耗。实际上,采用铜柱/复合焊料真正的问题在于Cu3Sn的生长和柯肯达尔孔洞的形成,尤其是在铜柱侧壁处尤为严重。因此,我们必须阻止复合焊料中的锡的逆向扩散通量,或是由Cu6Sn5向Cu3Sn的固态相变。这可以通过在高铅和共晶焊料之间增设一层扩散阻挡层来实现,该扩散阻挡层可以是一层铜或镍,或者是5~10μm厚的铜/镍双层结构,铜在靠近高铅一侧,镍在靠近共晶焊料一侧。高铅焊料和共晶无铅焊料都与铜和镍进行反应,所以利用它们形成扩散阻挡层时的连接便没有问题。为了阻止由Cu6 Sn5向Cu3 Sn的固态相变,可以通过将镍加入Cu6Sn5形成很稳定的三元相(Cu,Ni)6Sn5来阻止或者减缓Cu3 Sn的生长。

在设计中,我们可以使高铅和共晶焊料的厚度都在它们的电迁移临界长度之下。然而存在这样一个问题,由于无铅共晶焊料薄层会与铜反应,并且会导致整个无铅共晶焊料转变成铜与锡的金属间化合物。虽然电迁移在金属间化合物中会比较缓慢,但我们仍应该进一步研究金属间化合物焊点的力学性能。使用镍或镍(磷)的优势在于它的金属间化合物的形成速率要远低于铜。

考虑到侧壁,即使共晶焊料在高铅侧壁上攀移,以至于在侧壁上形成一层涂层,但在固态时效试验中,由于侧壁上电流密度很低也不会有物质混合现象发生。

最后,我们可以通过合金化来降低凸点中的原子扩散率,这样无铅焊料就可以与高铅焊料一样,而拥有良好的抗电迁移特性。