首页 理论教育共晶锡铅倒装芯片焊点的电迁移问题

共晶锡铅倒装芯片焊点的电迁移问题

【摘要】:在20~40 h的电迁移之后,第一横截面的共晶锡铅焊料表面上,能观察到阳极的铅的聚集和阴极的孔洞的形成。图9.10所示为同时具有焊料凸点的第一横截面的第二横截面。因此,上面的Z*计算可能是不精确的,结果只是指出共晶锡铅焊点中电迁移的大致趋势。

在20~40 h的电迁移之后,第一横截面的共晶锡铅焊料表面上,能观察到阳极的铅的聚集和阴极的孔洞的形成。在焊料内的原子扩散通量,可以通过标记物的运动进行测量。图9.9(a)中,显示了标记物的位置,在SEM照片下,铅是较亮的一相。图中所示标记物是碳化硅或金刚石颗粒。图9.9(b)所示为它们的移位。除编号为1、10、11的标记物以外,其他的标记物的移动量大小在数量级上是相似的。图9.9(c)所示为除了标记为1、10、11外的标记物移动距离随时间变化的函数。在20~40 h内位移与时间呈线性关系。

图9.9 标记物位置、位移及移动距离随时间变化的函数

(a)横截面表面的标记物位置;(b)标记物位移量;(c)除编号为1、10、11外的标记物平均移动距离随时间变化的函数

在分析焊点中的原子扩散通量时,在120℃环境下,我们认为电子风力和机械力影响了铅原子的运动,

式中,Jem为原子扩散通量,单位为原子个数/(cm2·s);c为单位体积的原子浓度;D/(kT)为原子迁移率;σ为金属中的静水应力;dσ/dx表示在电流方向上的应力梯度;Ω为原子体积;Z*为电迁移的有效电荷数;e为电子电量;E为电场,E=ρj,ρ是电阻率,j是电流密度。电迁移的原子扩散通量的值Jem,可根据标记物的运动来进行估算:

式中,VEM是焊料因电迁移而移动的体积;可由标记物位移量乘以焊料横截面积进行计算,At是标记物的位移;t为电迁移时间。

忽略背应力,测量电迁移下的原子扩散通量Jem、扩散率和有效电荷量的乘积DZ*,可由以下等式来进行计算:

由计算得到DZ*值,假设忽略背应力,在已知D的情况下,我们可以估算Z*的值。

为了检测估算出来的DZ*值是否合理,通过利用Brandenburg与Yeh所测定的平均失效时间模式中,值为0.8 eV的激活能和值为0.1 cm2/s的指数前因子,我们尝试着把D和Z*值进行分离。在120℃环境下,我们计算出了有效电荷数的值为102。考虑到焦耳热的影响,若焊料的实际温度应为140℃而不是120℃,那么有效电荷数则变为34。在第8章的内容中,锡在纯锡里的有效电荷数是17,而铅在纯铅里的有效电荷数是47,所以该值与铅的有效电荷数更为接近。

图9.10所示为同时具有焊料凸点的第一横截面的第二横截面。可以在阴极看到孔洞和锯齿状的焊料表面,在阳极看到鼓包,这表明体积变化不是持续的。更多的体积从阴极转移到了阳极。抛光表面,即自由表面使锯齿和鼓包形成,并且铅和锡同时移动到阳极。如果没有区域材料成分扫描,我们就不能清楚地认识到铅和锡在转变过程中扩散通量的相对值。由标记物的移动能得出净通量,由于铅在扩散过程中占主导地位,所以可能有一些锡反向扩散到了阴极。因此,上面的Z*计算可能是不精确的,结果只是指出共晶锡铅焊点中电迁移的大致趋势。在9.7节和12.3节中,我们将对恒定体积的过程与相偏析分离所引发的问题进行探讨。

图9.10 同时具有焊料凸点的第一横截面的第二横截面

(a)平视图;(b)侧视图

补充说明,在焊料凸点的基体中能找到镍铜锡(Ni-Cu-Sn)化合物。从化学镀镍UBM层到该化合物的最远距离大约是20μm,这表明铜原子扩散这样一段距离,才能形成三元化合物。