我们测试两种焊料凸点并比较它们的电迁移现象。第一次回流在把焊料凸点印刷在芯片上后完成,第二次回流是为了组装芯片和印刷线路板。为了对焊料凸点电迁移进行实时观测,在电迁移测试之前,我们采用机械和化学方法将一对焊料凸点切为截面并抛光。为了可以进行观察,要时常暂停电迁移试验,所以观察是不连续的且在不同的时间下重复进行的。图9.8观察电迁移时所用倒装芯片焊点两个横截面的原理......
2023-06-20
在20~40 h的电迁移之后,第一横截面的共晶锡铅焊料表面上,能观察到阳极的铅的聚集和阴极的孔洞的形成。在焊料内的原子扩散通量,可以通过标记物的运动进行测量。图9.9(a)中,显示了标记物的位置,在SEM照片下,铅是较亮的一相。图中所示标记物是碳化硅或金刚石颗粒。图9.9(b)所示为它们的移位。除编号为1、10、11的标记物以外,其他的标记物的移动量大小在数量级上是相似的。图9.9(c)所示为除了标记为1、10、11外的标记物移动距离随时间变化的函数。在20~40 h内位移与时间呈线性关系。
图9.9 标记物位置、位移及移动距离随时间变化的函数
(a)横截面表面的标记物位置;(b)标记物位移量;(c)除编号为1、10、11外的标记物平均移动距离随时间变化的函数
在分析焊点中的原子扩散通量时,在120℃环境下,我们认为电子风力和机械力影响了铅原子的运动,
式中,Jem为原子扩散通量,单位为原子个数/(cm2·s);c为单位体积的原子浓度;D/(kT)为原子迁移率;σ为金属中的静水应力;dσ/dx表示在电流方向上的应力梯度;Ω为原子体积;Z*为电迁移的有效电荷数;e为电子电量;E为电场,E=ρj,ρ是电阻率,j是电流密度。电迁移的原子扩散通量的值Jem,可根据标记物的运动来进行估算:
式中,VEM是焊料因电迁移而移动的体积;可由标记物位移量乘以焊料横截面积进行计算,At是标记物的位移;t为电迁移时间。
忽略背应力,测量电迁移下的原子扩散通量Jem、扩散率和有效电荷量的乘积DZ*,可由以下等式来进行计算:
由计算得到DZ*值,假设忽略背应力,在已知D的情况下,我们可以估算Z*的值。
为了检测估算出来的DZ*值是否合理,通过利用Brandenburg与Yeh所测定的平均失效时间模式中,值为0.8 eV的激活能和值为0.1 cm2/s的指数前因子,我们尝试着把D和Z*值进行分离。在120℃环境下,我们计算出了有效电荷数的值为102。考虑到焦耳热的影响,若焊料的实际温度应为140℃而不是120℃,那么有效电荷数则变为34。在第8章的内容中,锡在纯锡里的有效电荷数是17,而铅在纯铅里的有效电荷数是47,所以该值与铅的有效电荷数更为接近。
图9.10所示为同时具有焊料凸点的第一横截面的第二横截面。可以在阴极看到孔洞和锯齿状的焊料表面,在阳极看到鼓包,这表明体积变化不是持续的。更多的体积从阴极转移到了阳极。抛光表面,即自由表面使锯齿和鼓包形成,并且铅和锡同时移动到阳极。如果没有区域材料成分扫描,我们就不能清楚地认识到铅和锡在转变过程中扩散通量的相对值。由标记物的移动能得出净通量,由于铅在扩散过程中占主导地位,所以可能有一些锡反向扩散到了阴极。因此,上面的Z*计算可能是不精确的,结果只是指出共晶锡铅焊点中电迁移的大致趋势。在9.7节和12.3节中,我们将对恒定体积的过程与相偏析分离所引发的问题进行探讨。
图9.10 同时具有焊料凸点的第一横截面的第二横截面
(a)平视图;(b)侧视图
补充说明,在焊料凸点的基体中能找到镍铜锡(Ni-Cu-Sn)化合物。从化学镀镍UBM层到该化合物的最远距离大约是20μm,这表明铜原子扩散这样一段距离,才能形成三元化合物。
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2023-06-20
相比之下,共晶锡铅焊料在电迁移过程中,没有化合物被挤压出来。图9.12标记物位置及位移量标记物位置;标记物在无铅焊料焊点的一个横截面表面的移动量样品在垂直于第一横截面的方向进行了第二次横切,图9.13所示为其SEM照片。在电迁移的过程中,该合金生长并穿透了焊料凸点的整个横截面。图9.13无铅焊料焊点的第二横截面的SEM照片......
2023-06-20
在9.4.1节和9.4.2节中,利用标记物的移动实验显示了电迁移在SnAg3.8 Cu0.7中比在共晶锡铅中慢得多。对于迁移率项,扩散率的差异会非常大;共晶锡铅焊料的扩散率可能会比共晶锡银铜大一个数量级。同时,较小的晶粒尺寸和锡铅焊料上形成的共晶片状界面可能导致扩散率增大。因此,在共晶锡铅焊料中的电迁移会更快。值得一提的是,锡铅倒装芯片焊点在高温下的电迁移存在一个很大的锡原子的反向扩散通量。该内容将在9.5节和9.7节进行讨论。......
2023-06-20
图9.2焊点电流分布焊点电流分布二维仿真示意;焊点电流分布三维示意图9.3所示为倒装芯片焊点中电迁移损伤的一组SEM照片。由于孔洞的形成只能发生在硅晶片与阴极的接触一侧,也就是电子流入焊点的地方,所以说倒装芯片焊接中的电迁移失效模式是很独特的。......
2023-06-20
直流电迁移中存在着极化效应。然而我们需要考虑的是电迁移过程中热迁移的贡献。当电迁移产生的焦耳热在焊料接头上引起了1 000℃/cm的温度梯度时就会出现热迁移。若假设硅芯片侧的温度较高,热迁移就会驱使主要扩散元素向下运动,其方向与下移电子引起的电迁移相同,因此电迁移和热迁移效应会累加。然而在右侧的凸点中,电迁移会使原子向与热迁移相反的方向运动,即这两种迁移效果互相抵消。......
2023-06-20
用于热迁移测试的共晶37Pb63Sn倒装芯片焊料接头的测试结构与图12.2很相似,其有11个凸点。而通电凸点附近的未通电的凸点将用来研究热迁移。图12.7所示为四个未通电的凸点在电迁移测试后的横截面SEM照片。图12.7四个未通电的凸点在电迁移测试后的横截面SEM照片图12.8所示为未通电凸点的横截面高倍照片,图中Sn和Pb的重新分配表现在:铅大量积累在了冷端(基板端),热端处(芯片端)没有锡积累。......
2023-06-20
图9.22所示为在温度为100℃,电流密度分别为3.4×103 A/cm2、4.7×103 A/cm2、1.0×104 A/cm2条件下,持续通电一个月的倒装芯片的铜柱凸点和共晶锡铅焊料凸点的横截面SEM照片[22]。因此,电迁移现象伴随着热迁移和柯肯达尔孔洞的形成,成为在铜柱凸点使用中,比电流集聚效应更严重的一种可靠性问题。......
2023-06-20
根据焊接的目的,对焊点质量的衡量应该从电气性能优劣、机械结合的牢固程度和外形美观程度方面考量。锡焊连接是靠焊接过程形成的合金层来实现电气连接的,合金层必须牢固可靠。由于锡焊材料本身强度是比较低的,要想增加强度,就要有足够的连接面积。良好的焊点要求焊料用量恰到好处,表面圆润,有金属光泽。外表是焊接质量的反映,焊点表面有金属光泽是焊接温度合适、生成合金层的标志。......
2023-06-24
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