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共晶SnPb与金薄膜反应优化研究

【摘要】:在横截面的SEM照片中,可观察到几个非常大的AuSn4晶粒已分散在焊球中。在冷却期间,AuSn4会在焊料中均匀析出。然而在高温下经过几个小时的固态老化后,老化前分散在球栅阵列焊料接头中的一些AuSn4晶粒在焊料/Ni3Sn4界面处再次沉积为连续的一层。老化后的接头强度明显低于老化前的接头强度,且老化后的接头会沿着AuSn4层和Ni3Sn4层界面发生脆性断裂并失效。为了防止再沉积问题发生,可在焊料中添加1%的镍颗粒以保持AuSn4在焊料中的均匀分布。

在铬/铜/金三层结构中,金的厚度通常约为100 nm,在与铜反应前,熔融焊料已很快地溶解了所有的金。在冷却过程中,微小的金-锡颗粒会在球状Cu6Sn5表面上发生偏析。当金膜较厚时,如在球栅阵列封装(BGA)中使用的铜/镍/金三层结构中,金大约为1μm厚,在225℃下10 s的回流工艺便可以将所有的金转化为一层具有多孔结构的AuSn2和AuSn4。随后该层中的晶粒开始与镍层分离,并剥落至熔融焊料中。在横截面的SEM照片中,可观察到几个非常大的AuSn4晶粒已分散在焊球中。

当镍(磷)层用于倒装芯片中的UBM层时,可通过电镀工艺在镍(磷)上沉积一层金薄层。在回流过程中,金溶解到熔融焊料中,并允许镍(磷)层与焊料进行反应。金层很薄,使得在熔融焊料凸点中金的总体含量低于饱和溶解度。在冷却期间,AuSn4会在焊料中均匀析出。然而在高温下经过几个小时的固态老化后,老化前分散在球栅阵列焊料接头中的一些AuSn4晶粒在焊料/Ni3Sn4界面处再次沉积为连续的一层。老化后的接头强度明显低于老化前的接头强度,且老化后的接头会沿着AuSn4层和Ni3Sn4层界面发生脆性断裂并失效。为了防止再沉积问题发生,可在焊料中添加1%的镍颗粒以保持AuSn4在焊料中的均匀分布。