的确,这种极端情况已经被Brandenburg和Yeh所证明真实存在于150℃下的共晶锡铅焊点所发生的电迁移现象中。在电迁移后,我们看到两相几乎完全分离。同时,在如9.5节中所讨论的复合材料焊点的电迁移,电迁移诱导锡与铅元素的再分布,分别偏析到阴极处和阳极处。因此,共晶两相混合物里的偏析现象是非常显著的。我们将在下面内容阐述该现象发生在共晶混合物的电迁移中。在一个共晶系统的两相结构中,合金成分并不受共晶点的限制。......
2023-06-20
所谓Soret效应是指均质单相合金在温度梯度下变得不均匀的现象[2]。此处我们介绍一种类似但不完全相同的现象:均质的两相共晶合金在温度梯度的作用下变得不均匀,即热迁移效应。这两类效应间的不同在于:Soret效应中,非均质合金会产生一个化学势梯度来抵消Soret效应;而热迁移作用下的共晶合金中,不会生成化学势梯度来抵抗相分离或组分再分布。我们称这一现象为热迁移或电迁移诱发的“相分离的共晶效应”,而关于热迁移的内容将会在本书第12章进行论述。
从成分上来说,共晶体系的独特之处在于:低于共晶温度时,其化学势梯度与成分无关。换言之,即共晶合金中的化学势是统一的,且不依赖于组分的变化。例如,在图4.5所示的Sn-Pb二元相图中,我们来分析70Pb30Sn和30Pb70Sn扩散偶在150℃C下的退火过程。这两种合金以图4.5中150℃等温线上的A、B两点表示。在常压和150℃条件下,这是一个恒温恒压过程,因此沿该等温线的任一成分都将分解为α和β两种二次析出相(图4.5中箭头所指)。这两种二次析出相的成分由它们之间的热力学平衡决定,且可从相图中得知;两种次生相互相平衡且与次生相的含量无关。共晶温度以下,合金分离为两个具有层片状结构的初生相。这两个层状相互相平衡,不受层间距或各相体积分数影响。对于A与B构成的扩散偶,在150℃时,无论哪种组分都发生相分离,成为两个层状相。而因为它们处于平衡状态,没有化学势差驱使它们在150℃等温退火时彼此混合。下一节中,我们会看到在常压和150℃条件下退火时,扩散偶中除了少量熟化过程外,既没有发生互扩散也没有发生均质化。这是因为在150℃时,构成扩散偶的两种合金都会各自发生相分离,成为完全相同的Sn、Pb两种初生相,区别仅在于两种合金中初生相的比例不同,但依然遵循杠杆定律。它们都具有层状的微结构,但是层间距或层厚却并不固定。也就是说,在不影响平衡条件的情况下,层厚、各相的数目、成分都可以发生改变,更确切地讲,总的层间界面能也会发生改变。
由于这两个初生相始终处于相互平衡的状态,且与相的含量无关,因此在恒温老化过程中(如150℃),不存在均质化的驱动力。
图4.5 Sn-Pb二元共晶相图
然而,如果对共晶温度下的均质两相共晶合金施加外加的驱动力(如热迁移时的温度梯度或电迁移中的电场),由于相分离不会引起化学势改变,因此并不会像Soret效应一样产生化学势梯度来平衡外加驱动力,诱发其发生显著的相分离或组分再分配。在共晶两相混合物中,成分的改变不意味着化学势的改变,仅仅代表两种相在局部的体积分数改变。因此,若焊料中热迁移或电迁移导致了分离,仅意味着体积分数梯度的改变,而非化学势梯度的改变。而体积分数梯度并非相分离的外界驱动力。因此,相比于PbIn等单相合金中,组分的改变可导致浓度梯度的改变从而产生阻碍相分离的作用力,共晶SnPb等两相混合物的相分离非常明显。理论上,经过足够长时间的热迁移或电迁移作用后,共晶焊料可发生完全的相分离,成为分离的两相,且事实上,在电迁移作用下,共晶SnPb的倒装芯片互连接头上已观察到上述现象。图4.6(a)、(b)分别为电流密度为5×103 A/cm2、温度为160℃下电迁移82 h前后的共晶SnPb互连接头的截面电镜照片,可观察到Sn已经迁移到阳极,而Pb则迁移到了阴极,与此相关的更多讨论将在第9章中进行。此处需注意到当大量的Sn受电迁移驱动而迁移至阴极或阳极后,它将与Cu反应生成大量的金属间化合物,如图4.4所示。
图4.6 共晶SnPb互连接头在电流密度为5×103 A/cm 2、温度为160℃下电迁移82 h前后的截面电镜照片(由中国台湾日月光半导体公司的Dr.Yi-Shao Lai提供)
(a)电迁移前;(b)电迁移后
若仔细观察Sn-Cu或Sn-Ni的二元相图,可以发现Sn与Cu6 Sn5、Sn与Ni3 Sn4都可以形成双相共晶组织,这意味着在对应的共晶温度以下,在Sn中会形成大量的金属间化合物,且此类金属间合物将和Sn相处于平衡状态。而这一现象也在电迁移作用后的焊料接头中得到了印证,如图1.16所示。由于Cu和Ni都可用作焊料接头的UBM层,因此在电迁移作用下,它们可以溶解进入焊料接头中,并在阳极附近形成大量的金属间化合物,特别是对于Sn基无Pb焊料而言,这一现象更为显著。
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2023-06-20
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2023-06-20
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2023-06-20
直流电迁移中存在着极化效应。然而我们需要考虑的是电迁移过程中热迁移的贡献。当电迁移产生的焦耳热在焊料接头上引起了1 000℃/cm的温度梯度时就会出现热迁移。若假设硅芯片侧的温度较高,热迁移就会驱使主要扩散元素向下运动,其方向与下移电子引起的电迁移相同,因此电迁移和热迁移效应会累加。然而在右侧的凸点中,电迁移会使原子向与热迁移相反的方向运动,即这两种迁移效果互相抵消。......
2023-06-20
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2023-06-20
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2023-06-20
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2023-06-20
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2023-06-20
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