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Sn/Cu双层薄膜的室温反应机理研究

【摘要】:研究者采用Sn/Cu双层多晶薄膜来研究室温下的反应过程。实验设定了3组厚度不同的薄膜结构,具体尺寸包括:①350 nm Sn/180 nm Cu/石英;②350 nm Sn/600 nm Cu/石英;③2 500 nm Sn/600 nm Cu/石英。双层薄膜的退火处理在4种不同温度下进行:-2℃(冰箱),20℃(空调房),60℃和100℃(真空炉)。除了室温下退火可能出现温度波动以外,其他情况下温度波动都被控制在±1℃内。

研究者采用Sn/Cu双层多晶薄膜来研究室温下的反应过程。为了检测薄膜样品内发生的反应,研究者采用了高分辨率掠入射X射线衍射来分析界面金属间化合物的形成过程[1-2]。双层薄膜样品制作时需要利用电子束沉积法在直径1 in(1 in=25.4 mm)、厚度为1/8 in的熔凝石英圆盘上先后沉积Cu、Sn两种金属,且沉积过程需在样品维持室温且环境真空度优于2×10-7 torr[1]的条件下一次性连续沉积而成,沉积速率大约为0.5 nm/s。实验设定了3组厚度不同的薄膜结构,具体尺寸包括:①350 nm Sn/180 nm Cu/石英;②350 nm Sn/600 nm Cu/石英;③2 500 nm Sn/600 nm Cu/石英。由于石英盘的厚度为1/8 in,因此试样在该过程中不会发生弯曲。此外,实验同时在相同的熔凝石英圆盘上以相同的室温条件沉积制备了厚度为350 nm以及2 500 nm的单层Sn薄膜,并将其在室温下放置以作为参照组用于晶格参数测量,同时它们也将用于研究锡须的自发生长(详述见第6章)。

双层薄膜的退火处理在4种不同温度下进行:-2℃(冰箱),20℃(空调房),60℃和100℃(真空炉)。除了室温下退火可能出现温度波动以外,其他情况下温度波动都被控制在±1℃内。退火时间长达1年。