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底部草绘优化步骤

【摘要】:在创建散热器底面过程中将对组所有特征进行临时隐藏。14)在控制板中输入偏移距离为“3.00”并按Enter键确认,更改方向使其向内偏移,单击按钮,完成展开偏移特征的创建,如图7-159所示,并命名为。图7-162 对话框图7-163 21)单击选项卡组中的按钮,打开控制板,单击按钮,单击选项卡中的按钮,弹出对话框,选择的下表面作为草绘基准面,单击对话框中的按钮进入草绘界面。图7-168 底面模型树图7-169 散热器

在创建散热器底面过程中将对【顶面】组所有特征进行临时隐藏。

1)单击【模型】选项卡【形状】组中的【拉伸按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-337.jpg,打开【拉伸特征】控制板。

2)单击控制板中【拉伸为曲面】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-338.jpg以确认生成曲面;单击【放置】选项卡中的【定义】按钮,弹出【草绘】对话框。

3)在界面中选择【中间面】右侧面作为草绘基准面,单击【草绘】对话框中的【草绘】按钮,进入草绘界面。

4)单击【快速设置栏】中的【草绘视图】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-339.jpg,单击【设置】组中的【参考】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-340.jpg,打开【参考】对话框,如图7-152所示,单击【中间面】底面棱线两端点作为参考,单击【关闭】按钮关闭对话框。

5)单击【草绘】组中的【线】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-341.jpg,依照两参考点绘制一条直线作为拉伸截面,在绘制截面时综合使用参考点使其与【中间面】棱线长度相等且重合,如图7-153所示,绘制完毕后单击【确定】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-342.jpg完成草绘。

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图7-152 【参考】对话框

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图7-153 拉伸截面

6)更改拉伸模式为【拉伸至选定的平面】978-7-111-43338-5-Chapter07-345.jpg并单击【中间组】特征的左侧面,单击【应用】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-346.jpg,创建如图7-154所示的拉伸曲面并命名为【底封面】。

7)单击【模型】选项卡【基准】组中的【草绘】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-347.jpg,选择上步创建的拉伸曲面下表面为草绘基准面,单击【投影】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-348.jpg,单击如图7-155所示的轮廓线对其进行复制,运用【线】命令将圆弧连接形成如图7-155所示的修剪区域,单击【确定】按钮完成草绘。

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图7-154 拉伸曲面

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图7-155 修剪区域

8)修改【选择过滤器】选项为【面组】,选中模型树中的【底封面】并单击【模型】选项卡【编辑】组中的【修剪】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-351.jpg,打开【修剪】控制板。

9)选择刚创建的草绘曲线作为修剪对象,适时使用更改【保留侧】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-352.jpg,单击【应用】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-353.jpg,完成曲面修剪特征的创建,如图7-156所示。

10)运用同种修剪方法修剪另一侧,修剪时灵活运用更改【保留侧】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-354.jpg,使其形成如图7-157所示特征。

11)选择模型树中的【底封面】,单击【模型】选项卡【编辑】组中的【偏移】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-355.jpg,打开【偏移】控制板。

12)更改偏移方式为【展开特征偏移】978-7-111-43338-5-Chapter07-356.jpg,单击【选项】→【草绘区域】→【定义】选项,打开【草绘】对话框,选择底面上表面为草绘基准面,单击【草绘】按钮,进入草绘界面。

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图7-156 曲面修剪1

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图7-157 曲面修剪2

13)单击【快速设置栏】中的【草绘视图】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-359.jpg,使草绘界面与屏幕平行,在几何中心处绘制直径为315.00的圆形偏移区域,如图7-158所示,单击【确定】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-360.jpg完成草绘。

14)在控制板中输入偏移距离为“3.00”并按Enter键确认,更改方向使其向内偏移,单击【应用】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-361.jpg,完成展开偏移特征的创建,如图7-159所示,并命名为【大底圆】。

15)再次选中【底封面】并单击【偏移】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-362.jpg,打开【偏移】控制板,选择【展开特征偏移】978-7-111-43338-5-Chapter07-363.jpg进行偏移,单击【参考】→【草绘区域】→【定义】选项,打开【草绘】对话框,选择【大底圆】下表面作为草绘基准面,单击【草绘】按钮进入草绘界面。

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图7-158 偏移区域1

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图7-159 【大底圆】

16)单击【快速设置栏】中的【草绘视图】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-366.jpg,使草绘界面与屏幕平行,并在几何中心处绘制直径为80.00的圆,如图7-160所示,且与【大底圆】偏移区域同心,单击【确定】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-367.jpg完成草绘。

17)在控制板中输入偏移距离为“3.00”并按Enter键确认,更改方向使其与【大底圆】偏移方向相反,单击【应用】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-368.jpg,完成偏移特征,如图7-161所示,并命名为【小底圆】。

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图7-160 偏移区域2

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图7-161 【小底圆】

18)更改界面右下方【选择过滤器】为【面组】形式,单击需加厚的【底封面〗,单击【模型】选项卡【编辑】组中的【加厚】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-371.jpg,系统将弹出【加厚工具】控制板。

19)输入加厚厚度为“5.00”并按Enter键确认,单击978-7-111-43338-5-Chapter07-372.jpg按钮更改加厚方向使其向外加厚,其他设置遵循系统默认加厚方式。

20)单击【模型】选项卡【基准】组中的【轴】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-373.jpg,打开【基准轴】对话框,在绘图区单击偏移特征轮廓线,更改参考类型为【中心】,如图7-162所示,单击【确定】按钮完成操作,如图7-163所示,并将其命名为“环形阵列轴”。

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图7-162 【基准轴】对话框

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图7-163 【环形阵列轴】

21)单击【模型】选项卡【形状】组中的【拉伸】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-376.jpg,打开【拉伸特征】控制板,单击【拉伸切除】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-377.jpg,单击【放置】选项卡中的【定义】按钮,弹出【草绘】对话框,选择【大底圆】的下表面作为草绘基准面,单击【草绘】对话框中的【草绘】按钮进入草绘界面。

22)单击【快速设置栏】中的【草绘视图】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-378.jpg,并在草绘环境中绘制如图7-164所示图形,单击【确定】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-379.jpg完成草绘。

23)在控制板中输入拉伸深度为“5.00”,阵列数目为“20”并按Enter键确认,单击【应用】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-380.jpg形成如图7-165所示的阵列特征并命名为“扇形孔”。

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图7-164 拉伸截面

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图7-165 轴阵列

24)单击【模型】选项卡【基准】组中的【点】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-383.jpg,在【底封面】下表面创建如图7-166所示的基准点并命名为“阵列基准点”。

25)运用【拉伸】命令在【底封面】上创建直径为10的孔,并且拉伸切除截面圆心位于已创建的一基准点上。

26)在模型树中单击上步创建的拉伸切除特征,单击【模型】选项卡【编辑】组中的【阵列】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-384.jpg,打开【阵列】控制板。

27)更改控制板中阵列类型为【点】并选择模型树中的【阵列基准点】,将【阵列基准点】作为阵列的参考点对其进行点阵列,单击【应用】按钮978-7-111-43338-5-Chapter07-385.jpg形成如图7-167所示的【螺钉孔】特征。

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图7-166 阵列基准点

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图7-167 点阵列

28)按住Shift键选中本节创建的所有特征,右击将其合为一组并命名为“底面”,“底面”的创建步骤与具体特征如图7-168所示,取消对【顶面】的隐藏并对模型进行简单渲染形成如图7-169所示特征。

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图7-168 底面模型树

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图7-169 散热器