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光电探测器的应用及分类

【摘要】:光电探测器是一种受光器件,具有光电变换功能,是一种把光辐射能量转换为便于测量的电能的器件。常用的光电探测器有光电二极管和雪崩光电二极管。有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子-空穴对,称为光生载流子。这种特性称为光电导。雪崩光电二极管利用半导体结构中的载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号,以提高检测的灵敏度。

光电探测器是一种受光器件,具有光电变换功能,是一种把光辐射能量转换为便于测量的电能的器件。常用的光电探测器有光电二极管和雪崩光电二极管。

光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1μA),称为暗电流。有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子-空穴对,称为光生载流子。它们在反向电压的作用下参加漂移运动,使反向电流明显变大,光的强度越大,反向电流就越大。这种特性称为光电导。光电二极管在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。

雪崩光电二极管利用半导体结构中的载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号,以提高检测的灵敏度。当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时,在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时就发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时,二极管进入雪崩击穿状态;在此以前,只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离,则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。在雪崩光电二极管中,PN结加合适的高反向偏压,可使耗尽层中光生载流子受到强电场的加速作用而获得足够高的动能,它们与晶格碰撞电离产生新的电子-空穴对,这些载流子又不断引起新的碰撞电离,造成载流子的雪崩倍增,得到电流增益。