离子渗氮主要在此区间进行，放电电压与电流成线性关系，过了G点电压下降，电流迅速增大，会烧化工件。由此可见在离子渗氮过程中辉光放电对形成渗氮扩散层具有重要作用:活化气相，加快氮原子的吸附和扩散。......
2023-08-18
特殊零件简介：如LM339集成电路
【摘要】：由于LM339使用灵活，应用广泛，所以世界上各大IC生产厂、公司竞相推出自己的比较器，如IR2339、ANI339、SF339等，它们的参数基本一致，可互换使用。从IGBT的下述特点中可看出，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，就是于高压大电流工作时，导通电阻大，器件发热严重，输出效率下降。5）开关速度快，关断时间短，耐压1～1.8kV的约1.2μs、600V级的约0.2μs，约为GTR的10%，接近于功率MOSFET，开关频率直达100kHz，开关损耗仅为GTR的30%。
1.LM339集成电路
LM339集成块采用C-14型封装，图3-17为外形及引脚排列图。由于LM339使用灵活，应用广泛，所以世界上各大IC生产厂、公司竞相推出自己的比较器，如IR2339、ANI339、SF339等，它们的参数基本一致，可互换使用。
图3-16 电磁炉的加热原理
图3-17 LM339集成电路
LM339集成块内部装有4个独立的电压比较器，该电压比较器的特点是：
1）失调电压小，典型值为2mV；
2）电源电压范围宽，单电源为2～36V，双电源电压为±1V～±18V。
3）对比较信号源的内阻限制较宽；
4）共模范围很大；
5）差动输入电压范围较大，大到可以等于电源电压；
6）输出端电位可灵活方便地选用。
2.IGBT
如图3-18所示。
图3-18 IGBT电路符号与外形
绝缘栅双极型晶体管（Iusulated Gate Bipolar Transistor，IGBT），是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT，但它们均可被看做是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有3个电极（见上图），分别称为栅极G（也叫门极）、集电极C（亦称漏极）及发射极E（也称源极）。
从IGBT的下述特点中可看出，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，就是于高压大电流工作时，导通电阻大，器件发热严重，输出效率下降。
IGBT的特点如下：
1）电流密度大，是MOSFET的数十倍。
2）输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单。
3）低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下，其导通电阻Rce（on）不大于MOSFET的Rds（on）的10%。
4）击穿电压高，安全工作区大，在瞬态功率较高时不会受损坏。
5）开关速度快，关断时间短，耐压1～1.8kV的约1.2μs、600V级的约0.2μs，约为GTR的10%，接近于功率MOSFET，开关频率直达100kHz，开关损耗仅为GTR的30%。
IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体，是极佳的高速高压半导体功率器件。
目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT，它们的参数如下：
1）SGW25N120——西门子公司出品，耐压1200V，电流容量25℃时46A，100℃时25A，内部不带阻尼二极管，所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管（VD11）使用，该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管（VD11）后可代用SKW25N120。
2）SKW25N120——西门子公司出品，耐压1200V，电流容量25℃时46A，100℃时25A，内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120，代用时将原配套SGW25N120的VD11快速恢复二极管拆除不装。
3）GT40Q321——东芝公司出品，耐压1200V，电流容量25℃时42A，100℃时23A，内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120，代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的VD11快速恢复二极管拆除不装。
4）GT40T101——东芝公司出品，耐压1500V，电流容量25℃时80A，100℃时40A，内部不带阻尼二极管，所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管（VD11）使用，该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管（VD11）后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321，配套15A/1500V以上的快速恢复二极管（VD11）后可代用GT40T301。
5）GT40T301——东芝公司出品，耐压1500V，电流容量25℃时80A，100℃时40A，内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101，代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的VD11快速恢复二极管拆除不装。
6）GT60M303——东芝公司出品，耐压900V，电流容量25℃时120A，100℃时60A，内部带阻尼二极管。
有关常用家电维修实用技术的文章
- 详细阅读
-
汽车零件形变热处理的优点和方法简介详细阅读
形变热处理是将形变强化与热处理相变强化有效结合的工艺方法，其优点为节省工序、减少能源消耗、减少钢材的热处理缺陷等，因此提高了零件的产品性能。形变热处理是以形变强化效果有遗传性为基础发展起来的，其利用了金属材料经过形变热处理后的强化效果经过多次重结晶后仍可再现的特点。2)形变在相变过程中的有等温形变淬火、连续冷却形变处理、诱发马氏体的室温形变、过饱和固溶体的形变时效等。......
2023-08-18
-
汽车零件的主要热处理方法与特点简介详细阅读
曲柄连杆机构包括的零件较多，为确保其满足正常的服役需要，并具有较长的使用寿命，需要进行合理的选材与热处理，以满足其工作需要。根据零件的服役条件与失效方式，结合选择的材料，应提出合理的热处理要求，即选用经济的热处理方法，获得要求的使用性能。5)表面淬火包括感应淬火、火焰淬火、电解液淬火、激光淬火等，达到零件表面硬化的目的，环境洁净、节能效果显著，是汽车零件热处理的发展方向。......
2023-08-18
-
如何判断集成电路质量？详细阅读
二是在线检查判断，即集成电路连接在印制电路板上的判断方法。在线检查判断是检修集成电路在电视、音响、录像设备中最实用的方法。电压测量法主要是测出各引脚对地的直流工作电压值，然后与标称值进行比较，依此来判断集成电路的好坏。用电压测量法来判断集成电路的好坏是检修中最常采用的方法之一，但要注意区别非故障性的电压误差。分辨出这两种故障源，也是测试集成电路好坏的关键。......
2023-10-28
-
优化CMOS集成电路EDA技术详细阅读
进入21世纪以来，MOS集成电路更是进入纳米级电路时代。伴随着CMOS集成电路工艺的不断成熟和进步，CMOS集成电路设计方法也发生着巨大的转变，从最初的手工设计已经发展到目前的电子设计自动化设计。本章主要介绍CMOS模拟、数字集成电路EDA技术的基本概况和主流工具，为之后的进阶学习奠定理论基础。......
2023-06-26
-
集成电路概述及分类分析详细阅读
IC是Integrated Circuit的缩写，意思是集成电路。所谓模拟集成电路就是用来处理连续模拟信号的集成电路。根据IC的结构，大体上可分为半导体集成电路、混合集成电路以及膜集成电路3种。图2-31按IC构造的分类半导体集成电路。因此，单极型集成电路也称为以MOS FET作为有源器件的MOS IC。下面来看一下MOS IC的特点。存储器和微处理器等常采用MOS IC。双极型集成电路的特点是具有比上述MOS IC更快的工作速度。......
2023-06-25
-
零件测绘：提高动手能力与加强零件尺寸测量方法详细阅读
在改进或维修机器、部件时，有时会遇到机器、部件中某一零件损坏，而又无配件或图纸，这时就必须对零件进行测量并绘制该零件的零件图，以便作为制造该零件的依据。这种根据已有零件绘制零件图的过程称为零件测绘。零部件测绘旨在提高学生的动手能力，正确使用工具拆卸机器、部件，使用量具测量零件，训练徒手绘制草图的能力，掌握相关知识的综合应用，培养与他人合作的精神。掌握零件尺寸的测量方法。......
2023-06-24
-
集成电路的特点及应用详细阅读
555集成电路的3个“5”，具有其特定的内涵，所以各生产厂家无一例外地在型号上加以保留。这是因为该集成电路基片上的基准电压电路是由3个误差极小的5kΩ电阻组成，其分压精度很高。图1-37 汽车用555集成电路调压器图2）汽车用555集成电路点火器。......
2023-08-26
相关推荐